标签: NIF5002NT1GVB

型号:NIF5002NT1G丝印:VBJ1695品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):4A -开通电阻(RDS(ON)):76mΩ@10V,85mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):1.53V -封装类型:SOT223应用简介:这款NIF5002NT1GMOSFET是一款中功率N沟道MOSFET，适用于中功率应用场景。具有较高的额定电压和适中的额定电流，适用于中功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：适用于中功率开关电源、DC-DC变换器、逆变器等中功率电源模块。-汽车电子模块：适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等中功率汽车电子模块。-工业控制模块：适用于工业控制系统中的功率开关和控制模块。总之，NIF5002NT1GMOSFET适用于需要中功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能，特别适用于中功率应用的模块。