型号: NIF5002NT1G
丝印: VBJ1695
品牌: VBsemi

参数说明:
- MOSFET类型: N沟道
- 额定电压(VDS): 60V 
- 额定电流(ID): 4A 
- 开通电阻(RDS(ON)): 76mΩ@10V, 85mΩ@4.5V 
- 阈值电压(Vth): 1.53V 
- 封装类型: SOT223

应用简介:
这款NIF5002NT1G MOSFET是一款中功率N沟道MOSFET，适用于中功率应用场景。具有较高的额定电压和适中的额定电流，适用于中功率开关和功率转换的应用。

这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：
- 电源管理模块：适用于中功率开关电源、DC-DC变换器、逆变器等中功率电源模块。
- 汽车电子模块：适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等中功率汽车电子模块。
- 工业控制模块：适用于工业控制系统中的功率开关和控制模块。

总之，NIF5002NT1G MOSFET适用于需要中功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能，特别适用于中功率应用的模块。