标签: SI2323DST1GE3VB

型号：SI2323DS-T1-GE3丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：-1Vth-封装：SOT23应用简介：SI2323DS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于负电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V，最大电流为-5.6A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2.转换器模块：可用于负责负电压转换和逆变的转换器模块。3.便携式设备：适用于便携式电子设备中的负载开关和电源控制。总之，SI2323DS-T1-GE3适用于负电压控制和负载开关的应用领域的模块设计，主要用于电源管理、转换器模块和便携式设备等领域。