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【SI2323DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-21
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阅读数:58
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资料介绍
型号:SI2323DS-T1-GE3
丝印:VB2355
品牌:VBsemi

详细参数说明:
- 类型:P沟道MOSFET
- 最大耐压:-30V
- 最大电流:-5.6A
- 导通电阻:47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V
- 门源电压:20Vgs (±V)
- 门阈电压:-1Vth
- 封装:SOT23


应用简介:
SI2323DS-T1-GE3 是一款 P 沟道 MOSFET,适用于负电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V,最大电流为-5.6A,具有低导通电阻和高性能。

该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:
1. 电源管理模块:适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。
2. 转换器模块:可用于负责负电压转换和逆变的转换器模块。
3. 便携式设备:适用于便携式电子设备中的负载开关和电源控制。

总之,SI2323DS-T1-GE3 适用于负电压控制和负载开关的应用领域的模块设计,主要用于电源管理、转换器模块和便携式设备等领域。
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