标签: SI3460DVT1E3VB

型号：SI3460DV-T1-E3-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：6A-开通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-阈值电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.2Vth(V)-封装：SOT23-6应用简介：SI3460DV-T1-E3-VB是一款N沟道功率MOSFET，具有高电流和低开通电阻的特点。该器件适用于需要在低电压下实现大电流驱动的应用场合。该产品可以用在以下领域模块上：1.电源模块：SI3460DV-T1-E3-VB可以用于低压DC-DC变换器，用于调节直流电压并提供稳定的电源输出。2.电动工具：该器件适用于驱动电动工具的电路，如电动钻、锤子等。它能够提供高功率输出并保持良好的稳定性。3.电动汽车：SI3460DV-T1-E3-VB可以用于电动汽车的驱动电路，例如电动车辆的电机控制器。它能够提供高能效和高辅助功率以实现高性能的动力输出。4.LED照明：该产品适用于LED照明产品中的驱动电路，如LED灯泡、灯带等。它能够提供高亮度的LED照明，并保持高效能的电能转换。总结：SI3460DV-T1-E3-VB是VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET，适用于低电压高电流驱动的应用场合，如电源模块、电动工具、电动汽车和LED照明等领域模块。