资料
  • 资料
  • 专题
【SI3460DV-T1-E3-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
推荐星级:
类别: 消费电子
时间:2024-02-24
大小:256.66KB
阅读数:52
上传用户:VBsemi
查看他发布的资源
下载次数
0
所需E币
0
ebi
新用户注册即送 300 E币
更多E币赚取方法,请查看
close
资料介绍
型号: SI3460DV-T1-E3-VB
丝印: VB7322
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压:30V
- 额定电流:6A
- 开通电阻:30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
- 阈值电压:20Vgs (±V)
- 阈值电压:1.2Vth(V)
- 封装:SOT23-6

应用简介:
SI3460DV-T1-E3-VB是一款N沟道功率MOSFET,具有高电流和低开通电阻的特点。该器件适用于需要在低电压下实现大电流驱动的应用场合。

该产品可以用在以下领域模块上:
1. 电源模块:SI3460DV-T1-E3-VB可以用于低压DC-DC变换器,用于调节直流电压并提供稳定的电源输出。
2. 电动工具:该器件适用于驱动电动工具的电路,如电动钻、锤子等。它能够提供高功率输出并保持良好的稳定性。
3. 电动汽车:SI3460DV-T1-E3-VB可以用于电动汽车的驱动电路,例如电动车辆的电机控制器。它能够提供高能效和高辅助功率以实现高性能的动力输出。
4. LED照明:该产品适用于LED照明产品中的驱动电路,如LED灯泡、灯带等。它能够提供高亮度的LED照明,并保持高效能的电能转换。

总结:SI3460DV-T1-E3-VB是VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET,适用于低电压高电流驱动的应用场合,如电源模块、电动工具、电动汽车和LED照明等领域模块。

版权说明:本资料由用户提供并上传,仅用于学习交流;若内容存在侵权,请进行举报,或 联系我们 删除。
相关评论 (下载后评价送E币 我要评论)
没有更多评论了
  • 可能感兴趣
  • 关注本资料的网友还下载了
  • 技术白皮书