标签: FQD50N06VB

型号：FQD50N06-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：60A-开启电阻：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V-门源极最大电压：20Vgs(±V)-门阈电压：1.87Vth(V)-封装类型：TO252应用简介：FQD50N06-VB是一款N沟道MOSFET，适用于大功率、高电流的应用场景。它的低开启电阻使得其具有优异的导通特性，能够提供高效的电流传导。因此，FQD50N06-VB广泛应用于以下领域模块：1.电源模块：FQD50N06-VB可以用作电源开关，控制电源的通断，以实现稳定可靠的电源输出。2.逆变器：FQD50N06-VB适用于逆变器模块，可以将直流电转换为交流电，常用于家电、工业设备等领域。3.电动工具：由于FQD50N06-VB具有高电流承受能力和低开启电阻，因此可以应用于电动工具中，提供高功率的驱动能力。4.汽车电子：FQD50N06-VB适用于汽车电子模块，如电动车充电桩、电动汽车控制模块等，可以提供高效的功率传输和控制功能。总之，FQD50N06-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于大功率、高电流的应用，广泛应用于电源模块、逆变器、电动工具以及汽车电子等领域模块。