丝印： VBE1615
品牌： VBsemi
参数说明：
- 沟道类型： N沟道
- 额定电压： 60V
- 额定电流： 60A
- 开启电阻： 9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V
- 门源极最大电压： 20Vgs (±V)
- 门阈电压： 1.87Vth (V)
- 封装类型： TO252
应用简介：
FQD50N06-VB是一款N沟道MOSFET，适用于大功率、高电流的应用场景。它的低开启电阻使得其具有优异的导通特性，能够提供高效的电流传导。因此，FQD50N06-VB广泛应用于以下领域模块：
1. 电源模块：FQD50N06-VB可以用作电源开关，控制电源的通断，以实现稳定可靠的电源输出。
2. 逆变器：FQD50N06-VB适用于逆变器模块，可以将直流电转换为交流电，常用于家电、工业设备等领域。
3. 电动工具：由于FQD50N06-VB具有高电流承受能力和低开启电阻，因此可以应用于电动工具中，提供高功率的驱动能力。
4. 汽车电子：FQD50N06-VB适用于汽车电子模块，如电动车充电桩、电动汽车控制模块等，可以提供高效的功率传输和控制功能。
总之，FQD50N06-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于大功率、高电流的应用，广泛应用于电源模块、逆变器、电动工具以及汽车电子等领域模块。
