标签: NTD25P03LGVB

型号：NTD25P03LG-VB  丝印：VBE2338 品牌：VBsemi 参数： -P沟道--30V电压--26A电流-RDS(ON)：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V-20Vgs(±V)阈值电压--1.3Vth(V)阈值电压-TO252封装该型号的详细参数说明：-类型:N沟道P-MOSFET-最大漏源电压（VDS）：-30V-最大漏源电流（ID）：-26A-导通电阻（RDS(ON)）：33mΩ（在10V下），46mΩ（在4.5V下）-门源阈值电压（Vgs(th)）：-1.3V-最大门源电压（Vgs）：±20V-封装类型：TO252该产品适用于以下领域模块：-电源管理系统-自动控制系统-电动汽车系统-工业自动化控制系统-LED照明系统等这些沟道P-MOSFET可以用于电源开关、电机驱动、电源逆变器、充放电电路等应用。它们在需要高效能和低电阻的场合提供了可靠的功率开关功能。通过改变门源电压控制电阻，它们可以实现高效的电源管理和电路控制。