丝印： VBE2338
品牌： VBsemi
参数：
- P沟道
- -30V电压
- -26A电流
- RDS(ON)：33mΩ@10V, 46mΩ@4.5V
- 20Vgs(±V)阈值电压
- -1.3Vth(V)阈值电压
- TO252封装
该型号的详细参数说明：
- 类型: N沟道P-MOSFET
- 最大漏源电压（VDS）：-30V
- 最大漏源电流（ID）：-26A
- 导通电阻（RDS(ON)）：33mΩ（在10V下），46mΩ（在4.5V下）
- 门源阈值电压（Vgs(th)）：-1.3V
- 最大门源电压（Vgs）：±20V
- 封装类型：TO252
该产品适用于以下领域模块：
- 电源管理系统
- 自动控制系统
- 电动汽车系统
- 工业自动化控制系统
- LED照明系统等
这些沟道P-MOSFET可以用于电源开关、电机驱动、电源逆变器、充放电电路等应用。它们在需要高效能和低电阻的场合提供了可靠的功率开关功能。通过改变门源电压控制电阻，它们可以实现高效的电源管理和电路控制。
