标签: SI4948BEYT1E3VB

型号：SI4948BEY-T1-E3-VB丝印：VBA4658品牌：VBsemi参数：-类型：2个P沟道-额定电压（Vds）：-60V-最大持续电流（Id）：-5.3A-导通电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V-门源电压范围（Vgs）：20V（正负）-阈值电压范围（Vth）：-1~-3V-封装：SOP8应用简介：SI4948BEY-T1-E3-VB是一对P沟道场效应晶体管（MOSFET），同时包含两个P沟道MOSFET。它适用于需要负向电压操作的电子应用，如电源开关、电池保护和负载开关。详细参数说明：1.**类型**：这是一对P沟道MOSFET，同时包含两个P沟道MOSFET。P沟道MOSFET在输入负向电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于需要负向电压操作的电路中。2.**额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为-60V。这表示在正常工作条件下，其电压可以是负向的，但应不超过-60V。3.**最大持续电流（Id）**：这对P沟道MOSFET的每个MOSFET的最大电流承受能力为-5.3A。负号表示电流流向是从源到漏极。4.**导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为58mΩ，表示在导通状态下的功耗相对较低。5.**门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。6.**阈值电压范围（Vth）**：这对P沟道MOSFET的每个MOSFET的阈值电压范围为-1~-3V。这是启动MOSFET导通的门源电压范围。7.**封装**：这对P沟道MOSFET采用SOP8封装，这是一种常见的封装类型，适用于多种电路应用。应用领域：SI4948BEY-T1-E3-VB这对P沟道MOSFET适用于多种需要负向电压操作的电子模块和设备，包括但不限于以下领域模块：1.**电池保护**：可用于电池保护电路，以确保电池不过充电或过放电。2.**电源开关**：可用于负向电压电源开关，如电压转换和电源控制。3.**负载开关**：用于控制负载的通断，如LED照明系统、电动工具和电子设备。4.**电池充放电**：用于电池充电和放电管理电路，以确保安全和高效的电池使用。总之，这对P沟道MOSFET适用于需要负向电压操作的电子模块和设备，提供电源控制和电流管理的功能。它们特别适用于电池保护和负载开关应用。