丝印：VBA4658
品牌：VBsemi
参数：
- 类型：2个P沟道
- 额定电压（Vds）：-60V
- 最大持续电流（Id）：-5.3A
- 导通电阻（RDS(ON)）：58mΩ @ 10V
- 门源电压范围（Vgs）：20V（正负）
- 阈值电压范围（Vth）：-1~-3V
- 封装：SOP8
应用简介：
SI4948BEY-T1-E3-VB是一对P沟道场效应晶体管（MOSFET），同时包含两个P沟道MOSFET。它适用于需要负向电压操作的电子应用，如电源开关、电池保护和负载开关。
详细参数说明：
1. **类型**：这是一对P沟道MOSFET，同时包含两个P沟道MOSFET。P沟道MOSFET在输入负向电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于需要负向电压操作的电路中。
2. **额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为-60V。这表示在正常工作条件下，其电压可以是负向的，但应不超过-60V。
3. **最大持续电流（Id）**：这对P沟道MOSFET的每个MOSFET的最大电流承受能力为-5.3A。负号表示电流流向是从源到漏极。
4. **导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为58mΩ，表示在导通状态下的功耗相对较低。
5. **门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。
6. **阈值电压范围（Vth）**：这对P沟道MOSFET的每个MOSFET的阈值电压范围为-1~-3V。这是启动MOSFET导通的门源电压范围。
7. **封装**：这对P沟道MOSFET采用SOP8封装，这是一种常见的封装类型，适用于多种电路应用。
应用领域：
SI4948BEY-T1-E3-VB这对P沟道MOSFET适用于多种需要负向电压操作的电子模块和设备，包括但不限于以下领域模块：
1. **电池保护**：可用于电池保护电路，以确保电池不过充电或过放电。
2. **电源开关**：可用于负向电压电源开关，如电压转换和电源控制。
3. **负载开关**：用于控制负载的通断，如LED照明系统、电动工具和电子设备。
4. **电池充放电**：用于电池充电和放电管理电路，以确保安全和高效的电池使用。
总之，这对P沟道MOSFET适用于需要负向电压操作的电子模块和设备，提供电源控制和电流管理的功能。它们特别适用于电池保护和负载开关应用。
