标签: NTD3055L170T4GVB

型号：NTD3055L170T4G-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：18A-静态开启电阻(RDS(ON))：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源极电压(Vgs)：20V(±V)-阈值电压(Vth)：2V-封装类型：TO252应用简介：NTD3055L170T4G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种电子应用，以下是一些可能的应用领域：1.电源模块：这款MOSFET可用于电源模块中的功率开关，帮助提高电源管理的效率，适用于便携式设备、嵌入式系统和电源逆变器。2.DC-DC转换器：NTD3055L170T4G-VB可以用于DC-DC转换器中，将一个电压转换成另一个电压，适用于电池驱动的设备、电子终端和通信设备。3.电池管理：它还可以用于电池管理系统中，控制电池的充电和放电，确保电池的安全和性能。4.电机驱动：NTD3055L170T4G-VB可用于电机驱动电路，如电机控制器和电动工具，以实现高效的电机运行。5.汽车电子：由于其高电流承受能力和低导通电阻，这种MOSFET也适用于汽车电子系统，如车辆电源管理和驱动控制。NTD3055L170T4G-VB的特性使其适用于多种中等功率电子应用，尤其是在需要高电流承受能力和低导通电阻的情况下。然而，在选择和使用该器件时，仍然需要详细了解其数据手册和性能参数，以确保其满足特定应用的要求。