丝印:VBE1695
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:N沟道
- 最大耐压:60V
- 最大电流:18A
- 静态开启电阻 (RDS(ON)):73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 (Vgs):20V (±V)
- 阈值电压 (Vth):2V
- 封装类型:TO252
应用简介:
NTD3055L170T4G-VB是一款N沟道MOSFET,适用于多种电子应用,以下是一些可能的应用领域:
1. 电源模块:这款MOSFET可用于电源模块中的功率开关,帮助提高电源管理的效率,适用于便携式设备、嵌入式系统和电源逆变器。
2. DC-DC转换器:NTD3055L170T4G-VB可以用于DC-DC转换器中,将一个电压转换成另一个电压,适用于电池驱动的设备、电子终端和通信设备。
3. 电池管理:它还可以用于电池管理系统中,控制电池的充电和放电,确保电池的安全和性能。
4. 电机驱动:NTD3055L170T4G-VB可用于电机驱动电路,如电机控制器和电动工具,以实现高效的电机运行。
5. 汽车电子:由于其高电流承受能力和低导通电阻,这种MOSFET也适用于汽车电子系统,如车辆电源管理和驱动控制。
NTD3055L170T4G-VB的特性使其适用于多种中等功率电子应用,尤其是在需要高电流承受能力和低导通电阻的情况下。然而,在选择和使用该器件时,仍然需要详细了解其数据手册和性能参数,以确保其满足特定应用的要求。