标签: CEM6659VB

型号:CEM6659-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道(同时包含N沟道和P沟道)-额定电压:±60V-最大电流:6.5A(正向电流),-5A(反向电流)-静态导通电阻(RDS(ON)):28mΩ@10V(正向电流),51mΩ@10V(反向电流)-静态导通电阻(RDS(ON)):34mΩ@4.5V(正向电流),60mΩ@4.5V(反向电流)-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):±1.9V-封装:SOP8应用简介:CEM6659-VB是一种多功能沟道场效应晶体管(FET)，同时包含N沟道和P沟道，具有高电压容忍能力和低导通电阻。它适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**电源开关：**由于其高电压容忍能力和低导通电阻，CEM6659-VB可用作电源开关，用于控制高电压电源电路的开关。2.**电流控制：**这种双沟道FET可用于电流控制应用，例如电流限制器或电流源。3.**电机驱动：**在电机驱动器中，CEM6659-VB可以用于控制电机的正向和反向运转，特别是在需要高电压的应用中。4.**电源逆变器：**在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、UPS系统等。5.**电子开关：**适用于各种电子开关应用，如开关电源、电路断开和开关电路。这些应用领域涵盖了广泛的电子设备和模块，包括但不限于电源管理模块、电机控制模块、逆变器、电子开关和电流控制器。CEM6659-VB的多功能性使其成为多种高电压和电流应用的理想选择。