丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N+P沟道 (同时包含N沟道和P沟道)
- 额定电压: ±60V
- 最大电流: 6.5A (正向电流), -5A (反向电流)
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 28mΩ @ 10V (正向电流), 51mΩ @ 10V (反向电流)
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 34mΩ @ 4.5V (正向电流), 60mΩ @ 4.5V (反向电流)
- 门源电压 (Vgs): ±20V
- 阈值电压 (Vth): ±1.9V
- 封装: SOP8
应用简介:
CEM6659-VB是一种多功能沟道场效应晶体管 (FET)，同时包含N沟道和P沟道，具有高电压容忍能力和低导通电阻。它适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：
1. **电源开关：** 由于其高电压容忍能力和低导通电阻，CEM6659-VB可用作电源开关，用于控制高电压电源电路的开关。
2. **电流控制：** 这种双沟道FET可用于电流控制应用，例如电流限制器或电流源。
3. **电机驱动：** 在电机驱动器中，CEM6659-VB可以用于控制电机的正向和反向运转，特别是在需要高电压的应用中。
4. **电源逆变器：** 在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、UPS系统等。
5. **电子开关：** 适用于各种电子开关应用，如开关电源、电路断开和开关电路。
这些应用领域涵盖了广泛的电子设备和模块，包括但不限于电源管理模块、电机控制模块、逆变器、电子开关和电流控制器。CEM6659-VB的多功能性使其成为多种高电压和电流应用的理想选择。
