标签: SI4401DDYT1GE3VB

型号：SI4401DDY-T1-GE3丝印：VBA2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-11A-导通电阻：13mΩ@10V,17mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：-1.7Vth-封装：SOP8应用简介：SI4401DDY-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的中功率应用。其最大耐压为-40V，最大电流为-11A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2.电动工具：可用于电动工具中的负载开关和电源控制。3.汽车电子模块：适用于汽车电子系统中的负载开关和电源控制。总之，SI4401DDY-T1-GE3适用于负极电压控制和负载开关的中功率应用领域的模块设计，主要用于电源管理、电动工具和汽车电子模块等。