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【SI4401DDY-T1-GE3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-27
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资料介绍
型号:SI4401DDY-T1-GE3
丝印:VBA2412
品牌:VBsemi

详细参数说明:
- 类型:P沟道MOSFET
- 最大耐压:-40V
- 最大电流:-11A
- 导通电阻:13mΩ@10V, 17mΩ@4.5V
- 门源电压:20Vgs (±V)
- 门阈电压:-1.7Vth
- 封装:SOP8

应用简介:
SI4401DDY-T1-GE3 是一款 P沟道MOSFET,适用于负极电压控制和负载开关的中功率应用。其最大耐压为-40V,最大电流为-11A,具有低导通电阻和高性能。

该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:
1. 电源管理模块:适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。
2. 电动工具:可用于电动工具中的负载开关和电源控制。
3. 汽车电子模块:适用于汽车电子系统中的负载开关和电源控制。

总之,SI4401DDY-T1-GE3 适用于负极电压控制和负载开关的中功率应用领域的模块设计,主要用于电源管理、电动工具和汽车电子模块等。
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