标签: NTD5865NL1GVB

型号：NTD5865NL-1G-VB丝印：VBFB1615品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：50A-开通电阻：10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-门电压阈值：1.94Vth(V)-封装类型：TO251应用简介:NTD5865NL-1G-VB是一款N沟道MOSFET，具有60V的额定电压和50A的额定电流。它的开通电阻在不同电压下具有较低的值，分别为10mΩ@10V和12mΩ@4.5V。此外，它的门电压阈值为1.94V，适用于各种门电压驱动电路。该产品可以应用于以下领域模块：1.电源供应模块：由于NTD5865NL-1G-VB具有较高的额定电压和额定电流，它可以用于电源供应模块，如电源适配器和开关电源等。2.电动车辆模块：由于NTD5865NL-1G-VB能够承受较高的电流，可以在电动车辆的驱动模块中使用，如电动汽车和电动自行车等。3.工业控制模块：NTD5865NL-1G-VB在工业控制领域中具有广泛的应用，可用于电机驱动、过载保护和开关控制等模块。4.照明模块：由于该产品具有较高的额定电压，可用于照明模块，如LED驱动器和室内照明灯等。总之，NTD5865NL-1G-VB适用于需要处理较高电压和电流的领域模块，如电源供应、电动车辆、工业控制和照明等。