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【NTD5865NL-1G-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-28
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资料介绍
型号: NTD5865NL-1G-VB
丝印: VBFB1615
品牌: VBsemi
参数:
- 类型: N沟道
- 额定电压: 60V
- 额定电流: 50A
- 开通电阻: 10mΩ@10V, 12mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
- 门电压阈值: 1.94Vth(V)
- 封装类型: TO251

应用简介:
NTD5865NL-1G-VB是一款N沟道MOSFET,具有60V的额定电压和50A的额定电流。它的开通电阻在不同电压下具有较低的值,分别为10mΩ@10V和12mΩ@4.5V。此外,它的门电压阈值为1.94V,适用于各种门电压驱动电路。

该产品可以应用于以下领域模块:
1. 电源供应模块:由于NTD5865NL-1G-VB具有较高的额定电压和额定电流,它可以用于电源供应模块,如电源适配器和开关电源等。
2. 电动车辆模块:由于NTD5865NL-1G-VB能够承受较高的电流,可以在电动车辆的驱动模块中使用,如电动汽车和电动自行车等。
3. 工业控制模块:NTD5865NL-1G-VB在工业控制领域中具有广泛的应用,可用于电机驱动、过载保护和开关控制等模块。
4. 照明模块:由于该产品具有较高的额定电压,可用于照明模块,如LED驱动器和室内照明灯等。

总之,NTD5865NL-1G-VB适用于需要处理较高电压和电流的领域模块,如电源供应、电动车辆、工业控制和照明等。
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