标签: NTD20N06LT4GVB

型号：NTD20N06LT4G-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V，28mΩ@4.5V-硅极电压：20Vgs(±V)-门槽电压：1.8Vth(V)-封装类型：TO252详细参数说明：NTD20N06LT4G-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其丝印为VBE1638，由VBsemi公司生产。该器件具有以下主要参数：1.高额定电压（60V）和大额定电流（45A），适合处理高功率电路；2.导通电阻低，具有优秀的导通性能（24mΩ@10V，28mΩ@4.5V），可以降低功率损耗；3.20V的硅极电压（20Vgs），以及1.8V的门槽电压（1.8Vth(V)），提供灵活的驱动和控制能力；4.封装为TO252，易于焊接和安装。应用简介：NTD20N06LT4G-VBMOSFET通常用于以下领域模块：-电源模块：由于其高额定电压和大额定电流，可广泛应用于电源模块中，用于稳定和分配电流；-电机驱动：该器件的低导通电阻和高功率特性，使其成为电机驱动模块的理想选择，可以提供高效率和高输出功率；-电子设备：由于其灵活的驱动和控制能力，NTD20N06LT4G-VB可以用于各种电子设备，如开关电源、逆变器、光伏发电系统等。总之，NTD20N06LT4G-VB-VBE1638是一款具有高额定电压和大额定电流的N沟道MOSFET器件，适用于各种需要高功率性能和灵活控制的模块。