标签: AM4392NT1PFVB

型号：AM4392N-T1-PF-VB  丝印：VBA1203M  品牌：VBsemi  详细参数说明：  -沟道类型：N沟道-额定电压：200V-额定电流：3A-开态电阻：300mΩ@10V,360mΩ@4.5V-门源电压范围：20Vgs(±V)-阈值电压范围：2~4Vth(V)-封装类型：SOP8应用简介：  该型号的AM4392N-T1-PF-VBMOSFET适用于各种领域模块中的电路设计，其具有以下特点：1.N沟道类型使其适用于N沟道场效应晶体管所需的电路设计。2.高额定电压和电流使其适用于高压、高电流的应用场景。3.低RDS(ON)值（300mΩ和360mΩ）可实现低导通电阻以减小功耗和提高效率。4.广泛的门源电压范围（20Vgs）和门阈值电压范围（2~4Vth(V)）使其能够适应不同的驱动电路需求。5.SOP8封装提供了方便的安装和散热性能。这些产品主要用于以下领域的模块：1.电源模块：由于高额定电压和电流以及低导通电阻，AM4392N-T1-PF-VB可以在电源模块中用于有效地控制电流和改善功率效率。2.电动工具：高额定电流使其适用于电动工具中的电机驱动。3.工业自动化：由于能耐受高压和高电流，AM4392N-T1-PF-VB可以用于工业自动化系统中的各种电路设计需求。4.汽车电子：适用于汽车电子系统中的各种模块设计，如电动汽车控制器。5.LED照明：可用于LED照明模块中，以实现高效的电流驱动和精确的亮度控制。总之，AM4392N-T1-PF-VB是一款N沟道MOSFET，适用于各种领域的模块中的电路设计，具有高额定电压和电流、低导通电阻以及广泛的门源电压和阈值电压范围等优势。