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【AM4392N-T1-PF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-28
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阅读数:31
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资料介绍
型号: AM4392N-T1-PF-VB  
丝印: VBA1203M  
品牌: VBsemi  

详细参数说明:  
- 沟道类型: N沟道
- 额定电压: 200V
- 额定电流: 3A
- 开态电阻: 300mΩ@10V, 360mΩ@4.5V
- 门源电压范围: 20Vgs(±V)
- 阈值电压范围: 2~4Vth(V)
- 封装类型: SOP8

应用简介:  
该型号的AM4392N-T1-PF-VB MOSFET适用于各种领域模块中的电路设计,其具有以下特点:

1. N沟道类型使其适用于N沟道场效应晶体管所需的电路设计。
2. 高额定电压和电流使其适用于高压、高电流的应用场景。
3. 低RDS(ON)值(300mΩ和360mΩ)可实现低导通电阻以减小功耗和提高效率。
4. 广泛的门源电压范围(20Vgs)和门阈值电压范围(2~4Vth(V))使其能够适应不同的驱动电路需求。
5. SOP8封装提供了方便的安装和散热性能。

这些产品主要用于以下领域的模块:

1. 电源模块:由于高额定电压和电流以及低导通电阻,AM4392N-T1-PF-VB可以在电源模块中用于有效地控制电流和改善功率效率。
2. 电动工具:高额定电流使其适用于电动工具中的电机驱动。
3. 工业自动化:由于能耐受高压和高电流,AM4392N-T1-PF-VB可以用于工业自动化系统中的各种电路设计需求。
4. 汽车电子:适用于汽车电子系统中的各种模块设计,如电动汽车控制器。
5. LED照明:可用于LED照明模块中,以实现高效的电流驱动和精确的亮度控制。

总之,AM4392N-T1-PF-VB是一款N沟道MOSFET,适用于各种领域的模块中的电路设计,具有高额定电压和电流、低导通电阻以及广泛的门源电压和阈值电压范围等优势。

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