丝印： VBA1203M
品牌： VBsemi
详细参数说明：
- 沟道类型： N沟道
- 额定电压： 200V
- 额定电流： 3A
- 开态电阻： 300mΩ@10V, 360mΩ@4.5V
- 门源电压范围： 20Vgs(±V)
- 阈值电压范围： 2~4Vth(V)
- 封装类型： SOP8
应用简介：
该型号的AM4392N-T1-PF-VB MOSFET适用于各种领域模块中的电路设计，其具有以下特点：
1. N沟道类型使其适用于N沟道场效应晶体管所需的电路设计。
2. 高额定电压和电流使其适用于高压、高电流的应用场景。
3. 低RDS(ON)值（300mΩ和360mΩ）可实现低导通电阻以减小功耗和提高效率。
4. 广泛的门源电压范围（20Vgs）和门阈值电压范围（2~4Vth(V)）使其能够适应不同的驱动电路需求。
5. SOP8封装提供了方便的安装和散热性能。
这些产品主要用于以下领域的模块：
1. 电源模块：由于高额定电压和电流以及低导通电阻，AM4392N-T1-PF-VB可以在电源模块中用于有效地控制电流和改善功率效率。
2. 电动工具：高额定电流使其适用于电动工具中的电机驱动。
3. 工业自动化：由于能耐受高压和高电流，AM4392N-T1-PF-VB可以用于工业自动化系统中的各种电路设计需求。
4. 汽车电子：适用于汽车电子系统中的各种模块设计，如电动汽车控制器。
5. LED照明：可用于LED照明模块中，以实现高效的电流驱动和精确的亮度控制。
总之，AM4392N-T1-PF-VB是一款N沟道MOSFET，适用于各种领域的模块中的电路设计，具有高额定电压和电流、低导通电阻以及广泛的门源电压和阈值电压范围等优势。
