标签: NTD24N06LT4GVB

详细参数说明：-型号：NTD24N06LT4G-VB-丝印：VBE1638-品牌：VBsemi-参数： -极性：N沟道 -额定电压：60V -额定电流：45A -漏电阻：24mΩ@10V，28mΩ@4.5V -门源电压：20Vgs(±V) -阈值电压：1.8Vth(V) -封装：TO252应用简介：该型号的NTD24N06LT4G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于60V以下的电路应用。其具有低漏电阻和低阈值电压的特点，能够在较低电压下实现高电流的开关和增强功能。该产品适用于以下领域模块：-电源模块：由于该型号具有较低的漏电阻和高电流承受能力，可以用于电源模块中的开关电路，提高效率和稳定性。-驱动模块：由于具有低门源电压和低阈值电压，可广泛应用于驱动模块中，用于控制电流和功率输出。-电动工具：该型号的降低漏电阻和高电流特性使其适用于电动工具中，提高效率和稳定性。-电动汽车：由于额定电压和电流较高，该型号可用于电动汽车中的驱动系统，以实现高功率输出和能效。总结来说，NTD24N06LT4G-VB适用于电源模块、驱动模块、电动工具和电动汽车等领域模块。其具有低漏电阻、低阈值电压和高电流承受能力的特点，在这些领域模块中能够提供高效率、稳定性和高功率输出。