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【NTD24N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
推荐星级:
类别: 消费电子
时间:2024-02-28
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阅读数:26
上传用户:VBsemi
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资料介绍
详细参数说明:
- 型号:NTD24N06LT4G-VB
- 丝印:VBE1638
- 品牌:VBsemi
- 参数:
  - 极性:N沟道
  - 额定电压:60V
  - 额定电流:45A
  - 漏电阻:24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
  - 门源电压:20Vgs(±V)
  - 阈值电压:1.8Vth(V)
  - 封装:TO252

应用简介:
该型号的NTD24N06LT4G-VB是一款N沟道MOSFET,适用于60V以下的电路应用。其具有低漏电阻和低阈值电压的特点,能够在较低电压下实现高电流的开关和增强功能。

该产品适用于以下领域模块:
- 电源模块:由于该型号具有较低的漏电阻和高电流承受能力,可以用于电源模块中的开关电路,提高效率和稳定性。
- 驱动模块:由于具有低门源电压和低阈值电压,可广泛应用于驱动模块中,用于控制电流和功率输出。
- 电动工具:该型号的降低漏电阻和高电流特性使其适用于电动工具中,提高效率和稳定性。
- 电动汽车:由于额定电压和电流较高,该型号可用于电动汽车中的驱动系统,以实现高功率输出和能效。

总结来说,NTD24N06LT4G-VB适用于电源模块、驱动模块、电动工具和电动汽车等领域模块。其具有低漏电阻、低阈值电压和高电流承受能力的特点,在这些领域模块中能够提供高效率、稳定性和高功率输出。

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