标签: 20N03VB

详细参数说明：-型号：20N03-VB-丝印：VBE1310-品牌：VBsemi-类型：N沟道场效应管-额定电压：30V-额定电流：70A-RDS(ON)：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.8Vth(V)-封装型号：TO252应用简介：20N03-VB是一款N沟道场效应管，具备高电流和低导通电阻的特点。它的额定电压为30V，额定电流为70A。其低导通电阻（RDS(ON)）使得它在高电流应用场景下能够保持较低的功耗。门源电压为20Vgs(±V)，阈值电压为1.8Vth(V)。这款产品适用于以下领域模块：-电源模块：能够在高电流和低导通电阻的情况下，提供稳定的电流输出。-电机控制模块：可用于驱动电机，提供较高的电流输出以保证电机正常运转。-汽车电子模块：能够在汽车电子系统中用于控制和保护电路，提供高电流输出。总之，20N03-VB是一款适合在高电流和低导通电阻要求的应用中使用的N沟道场效应管，常见于电源模块、电机控制模块和汽车电子模块等领域。