- 型号:20N03-VB
- 丝印:VBE1310
- 品牌:VBsemi
- 类型: N沟道场效应管
- 额定电压:30V
- 额定电流:70A
- RDS(ON):7mΩ@10V, 9mΩ@4.5V
- 门源电压:20Vgs(±V)
- 阈值电压:1.8Vth(V)
- 封装型号:TO252
应用简介:
20N03-VB是一款N沟道场效应管,具备高电流和低导通电阻的特点。它的额定电压为30V,额定电流为70A。其低导通电阻(RDS(ON))使得它在高电流应用场景下能够保持较低的功耗。门源电压为20Vgs(±V),阈值电压为1.8Vth(V)。
这款产品适用于以下领域模块:
- 电源模块:能够在高电流和低导通电阻的情况下,提供稳定的电流输出。
- 电机控制模块:可用于驱动电机,提供较高的电流输出以保证电机正常运转。
- 汽车电子模块:能够在汽车电子系统中用于控制和保护电路,提供高电流输出。
总之,20N03-VB是一款适合在高电流和低导通电阻要求的应用中使用的N沟道场效应管,常见于电源模块、电机控制模块和汽车电子模块等领域。