标签: IRLR024NTRPBFVB

型号：IRLR024NTRPBF-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-额定栅极源极电压：20Vgs(±V)-阈值电压：2Vth(V)-封装：TO252详细参数说明：IRLR024NTRPBF-VB是一款N沟道功率MOSFET，具有60V高电压和18A高电流的额定值。其导通电阻为73mΩ@10V和85mΩ@4.5V，使其能够提供低功耗和高效率的开关特性。此外，其额定栅极源极电压为20V，阈值电压为2V，适用于各种电气设备的控制和开关需求。应用简介：IRLR024NTRPBF-VB功率MOSFET广泛适用于各种领域的电气设备和模块中，其主要用途包括但不限于：1.电源供应模块：该MOSFET可用于设计和控制各种电源模块，包括开关电源、直流电源和逆变器。2.电机驱动：适用于电机驱动模块，如电动车、工业自动化设备和家电。3.照明控制：可用于LED照明控制模块，如LED灯带、室内照明和汽车照明系统。4.电动汽车充电桩：用于设计和控制电动汽车充电桩模块，实现高效充电和电网连接。总之，IRLR024NTRPBF-VB功率MOSFET可广泛应用于各种领域模块，以实现高效能效和可靠性控制。