丝印：VBE1695
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道
- 额定电压：60V
- 额定电流：18A
- 导通电阻：73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
- 额定栅极源极电压：20Vgs (±V)
- 阈值电压：2Vth (V)
- 封装：TO252
详细参数说明：
IRLR024NTRPBF-VB是一款N沟道功率MOSFET，具有60V高电压和18A高电流的额定值。其导通电阻为73mΩ@10V和85mΩ@4.5V，使其能够提供低功耗和高效率的开关特性。此外，其额定栅极源极电压为20V，阈值电压为2V，适用于各种电气设备的控制和开关需求。
应用简介：
IRLR024NTRPBF-VB功率MOSFET广泛适用于各种领域的电气设备和模块中，其主要用途包括但不限于：
1. 电源供应模块：该MOSFET可用于设计和控制各种电源模块，包括开关电源、直流电源和逆变器。
2. 电机驱动：适用于电机驱动模块，如电动车、工业自动化设备和家电。
3. 照明控制：可用于LED照明控制模块，如LED灯带、室内照明和汽车照明系统。
4. 电动汽车充电桩：用于设计和控制电动汽车充电桩模块，实现高效充电和电网连接。
总之，IRLR024NTRPBF-VB功率MOSFET可广泛应用于各种领域模块，以实现高效能效和可靠性控制。
