标签: 存储芯片

贞光科技作为业内知名的车规及工业元器件供应商，现已成为紫光国芯存储芯片的授权代理商。在半导体存储芯片国产化的关键时期，这一合作为推动DRAM等关键器件的国产替代开辟了新的渠道。紫光国芯在存储芯片领域的技术积累，加上贞光科技在车规和工业应用方面的专业优势，正在为客户提供更可靠的国产化解决方案。 产品技术实力：从DDR到LPDDR的全面布局 紫光国芯在存储芯片方面的技术积累确实令人印象深刻。该公司的DRAM产品覆盖标准SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和移动用LPDDR、LPDDR2、LPDDR4，其中二十余款产品实现全球量产和销售。从产品规格来看，这样的布局基本能满足从消费电子到工业应用的不同需求。 紫光国芯主要存储芯片产品规格 产品类型 技术标准 主要规格 应用领域 台式机内存 DDR4-2400 4GB/8GB容量，17-17-17时序，1.2V电压 PC、工作站 笔记本内存 DDR4-2400 4GB容量SO-DIMM 笔记本电脑 服务器内存 DDR4 RDIMM 多容量规格 数据中心、服务器 移动存储 LPDDR4/LPDDR4X 低功耗设计 智能手机、平板 传统存储 DDR2/DDR3 兼容性强 工业控制、嵌入式 目前市场上销售的紫光DDR4内存条主要规格为2400MHz频率，延迟时序17-17-17，电压1.2V，这个配置虽然不算顶级，但对于大多数应用场景来说已经足够。特别是在工业和车载应用中，稳定性往往比极限性能更重要。 从模组产品来看，紫光国芯的存储器模组产品包括服务器内存模组（RDIMM）、笔记本内存模组（SODIMM）和台式机内存模组（UDIMM），四十余款模组产品实现全球量产和销售。这个产品矩阵基本覆盖了主流的应用场景，给想要寻求国产替代方案的客户提供了不少选择空间。 技术布局与发展方向 存储技术 发展状态 技术特点 市场前景 DRAM 量产销售 主流存储技术，应用广泛 稳定增长 SRAM 研发布局 高速缓存，嵌入式应用 细分市场 RRAM 前瞻研发 新型非易失性存储 未来技术 特别值得关注的是，紫光国芯在嵌入式存储SRAM和新型存储器RRAM领域也进行了研发和布局。RRAM作为下一代非易失性存储技术，具有低功耗、高密度、快速擦写等优势，紫光国芯在这个前瞻性技术上的投入，体现了其对未来存储技术发展趋势的判断。 市场现状：国产存储芯片的机遇与挑战 目前国内存储芯片市场的竞争格局相对明朗。从主要厂商来看，兆易创新、紫光国芯、聚辰股份等都是这个赛道上的重要玩家。其中兆易创新主要专注于闪存芯片，而紫光国芯则在DRAM领域有较强的技术积累。 不过坦率地说，国产存储芯片在整个市场中的份额还相当有限。全球存储芯片市场主要被三星、SK海力士、美光等国际巨头所垄断，国产厂商要想在这个领域实现真正的突破，还需要在技术研发、产能建设、成本控制等多个维度持续发力。 但机遇同样存在。随着国内对于供应链安全的重视程度不断提升，特别是在汽车电子、工业控制、通信设备等关键应用领域，对于可控的国产存储芯片需求正在快速增长。这为像紫光国芯这样的本土企业提供了难得的发展窗口期。 贞光科技的角色：专业代理商的价值 贞光科技成立于1998年，在电子元器件代理领域有着二十多年的经验积累。该公司被业内称为车规及工业元器件的金牌供应商，是三星、国巨、爱普生、AVX等40余家原厂的授权代理商。在与紫光国芯的合作中，贞光科技发挥的是专业代理商的作用。 这种合作模式的价值在哪里？首先是渠道覆盖。贞光科技在汽车电子、工业控制等细分市场有着深厚的客户基础，这些正是紫光国芯DRAM产品的目标应用领域。其次是技术支持。作为专业的代理商，贞光科技不仅仅是简单的产品分销，还能为客户提供选型建议、应用方案等增值服务。 特别是在车规级存储芯片领域，贞光科技的专业性显得尤为重要。车规级产品对于可靠性、一致性的要求极高，需要代理商具备相应的技术能力和服务水平。贞光科技在这个领域的多年深耕，为紫光国芯产品的市场推广提供了有力支撑。 应用场景：从消费电子到工业应用 紫光国芯的DRAM产品主要面向哪些应用场景？从目前的产品规格来看，覆盖面还是相当广泛的。 在消费电子领域，DDR3、DDR4内存条可以用于台式机、笔记本电脑等产品，LPDDR系列则主要面向智能手机、平板电脑等移动设备。虽然在这些竞争激烈的消费市场中，紫光国芯面临的挑战不小，但随着国产品牌的崛起，市场空间还是存在的。 更有意思的是工业和车载应用。在这些对供应链稳定性要求较高的领域，客户往往更愿意考虑国产化的解决方案。工业控制设备、网络通信设备、安防监控系统等，都需要大量的存储器件，而且对产品的长期供货能力有着较高要求。 车规级存储芯片则是一个更加特殊的市场。汽车电子系统对于存储器件的可靠性要求极其严格，需要通过AEC-Q100等车规认证。虽然这个市场的准入门槛很高，但一旦进入，产品的毛利率和客户粘性都会比较理想。 未来展望：专业代理推动国产化进程 存储芯片产业的发展需要长期的技术积累和产业链协同。贞光科技与紫光国芯的合作，不仅是商业层面的合作，更是对国产半导体产业链发展的重要支撑。通过专业的技术服务和渠道推广，帮助国产存储芯片在更多应用场景中得到验证和应用。 随着技术不断进步和市场需求增长，国产存储芯片有望在某些细分领域实现更大突破。贞光科技将继续发挥专业代理商的桥梁作用，为客户提供可靠的国产化解决方案，推动整个产业生态的健康发展。

在全球供应链紧张和国产替代需求推动下，国产存储芯片产业快速发展，形成设计到封测一体化的完整生态。北京君正、兆易创新、紫光国芯、东芯股份、普冉股份和佰维存储等六大上市公司在NOR/NAND Flash、DRAM、嵌入式存储等领域布局各具特色，推动国产替代提速。 贞光科技代理的品牌紫光国芯，专注DRAM技术，覆盖嵌入式存储与模组解决方案，为多领域客户提供高可靠性产品。 随着AI、5G等新兴应用兴起，国产存储厂商有望迎来新一轮增长。 存储芯片分类与应用 易失性与非易失性存储芯片 易失性存储芯片 （Volatile Memory）：如DRAM和SRAM，断电即丢失数据，主要用于CPU缓存和系统内存，强调高速随机读写性能。 非易失性存储芯片 （Non-Volatile Memory）：断电后仍能保留数据，分为： NAND Flash ：以高存储密度和快速写入见长，用于SSD、U盘和TF卡等大容量存储设备。 NOR Flash ：以快速读取和随机访问优势著称，广泛应用于物联网、嵌入式系统和代码存储场景。 国产化进程与行业格局 在全球存储芯片市场中， 三星 、SK 海力士、美光等国际巨头占据主导地位。但国内企业通过技术积累和产业政策扶持，逐步在利基市场和高附加值领域实现突破。长江存储（NAND Flash龙头）与长鑫存储（DRAM龙头）虽未上市，但在产业链中发挥关键作用；上市公司则在设计、封测和解决方案层面形成差异化竞争。 主要厂商介绍 1. 北京君正（300223） 业务定位 ：集成电路设计，产品涵盖存储芯片（SRAM、DRAM、Flash）、计算芯片及模拟与互联芯片。 市场应用 ：汽车电子、工业控制、医疗设备、通信与消费电子。 2023年业绩 ：存储芯片业务收入29.12亿元，占比64.26%；公司整体营业收入45.31亿元，同比下降16.28% 2. 兆易创新（603986） 业务定位 ：专注NOR Flash、NAND Flash、DRAM及32位MCU、传感器等半导体产品设计与研发。 行业地位 ：全球NOR Flash前三；中国32位通用MCU龙头。 2023年业绩 ：存储芯片业务收入51.94亿元，占总营收70.6%；NOR Flash全球市占率15%，位列前三 2024年业绩预告 ：预计实现营收约73.49亿元，同比增长27.6%，净利润约10.9亿元，同比增幅576% 3. 紫光国芯（新三板 874451） 业务定位 ：以DRAM技术为核心，产品涵盖标准存储芯片、嵌入式DRAM（SeDRAM®）、存储控制芯片、模组和系统。 产业背景 ：隶属紫光集团，国家高新技术企业。 2021–2023年财务 ：营收分别为24.21亿元、23.16亿元、9.14亿元，净利润分别为2.67亿元、1.25亿元、−1.99亿元 4. 东芯股份（688110） 业务定位 ：中小容量通用型存储芯片，涵盖NAND Flash、NOR Flash、DRAM及MCP。 技术优势 ：利基型DRAM和多种Flash产品，专注工业、网络通信及消费电子市场。 2023年业绩 ：存储芯片产品收入5.3亿元，占比约98%，同比下降53.7%；归母净利润大幅下滑265%，主要因行业周期低迷和价格压力 5. 普冉股份（688766） 业务定位 ：非易失性存储器及衍生芯片（NOR Flash、EEPROM、MCU、模拟产品）。 市场地位 ：2023年NOR Flash市场全球第六；“存储+”系列芯片营收1.15亿元，同比增长116.98%。 2023年业绩 ：存储系列芯片营业收入10.12亿元，占比90%，其中NOR Flash约占80% 6. 佰维存储（688525） 业务定位 ：嵌入式存储、PC存储、工业级与消费级存储、封测服务一体化。 技术特点 ：自主封测与芯片设计协同，产品覆盖智能穿戴、手机、PC、车规级等应用。 2023年业绩 ：全年营业收入36.18亿元，净利润−5.88亿元，行业低谷期存货跌价与价格压力导致亏损 2024年业绩快报 ：营业收入67.04亿元，同比增长86.71%；归母净利润1.76亿元，实现扭亏为盈。 小结 国产存储芯片已从产业链前端设计到后端封测与系统集成形成闭环，企业各有侧重：北京君正在车载存储领域深耕，兆易创新在NOR Flash与MCU领域领先， 贞光科技代理的品牌紫光国芯主攻DRAM技术 ，东芯股份与普冉股份深耕利基市场，佰维存储则以封测一体化优势实现规模突破。随着下游AI、5G与智能终端需求回暖，这些企业有望在不同细分赛道迎来业绩拐点。未来，长江存储与长鑫存储两大产业龙头的量产及技术进步，也将进一步加速整个国产存储生态的完善。 如需更多产品信息或技术支持，请联系贞光科技：taohua@zgkeji.com，或访问官网 www.zgkeji.com 。

一、技术突破：DeepSeek如何让AI眼镜“更聪明”？ 本地化AI能力升级 DeepSeek通过模型压缩与优化技术（如蒸馏模型、FP8低精度训练），大幅降低了AI模型对算力的需求，使其能在端侧设备（如AI眼镜）上高效运行。AI眼镜可完成DeepSeek蒸馏模型的适配，可支持语音交互、实时导航等功能，同时也解决功耗与续航的痛点，杭州灵伴科技的AR眼镜接入DeepSeek大模型后，可在航空维修、医疗培训等专业场景中提供智能导师服务。 二、存储芯片：AI眼镜的“记忆核心” DeepSeek的工程化能力（如按需分配算力、动态路由优化）让AI眼镜既能本地处理敏感数据，又可通过云端扩展复杂任务。这种架构对存储芯片提出了更高要求——既需高速缓存支持实时计算，又需大容量存储承载模型参数与用户数据。AI眼镜的智能化离不开存储芯片的技术革新，而DeepSeek的崛起正在加速这一进程： 需求驱动技术迭代 1、大容量与高速度 ：DeepSeek模型训练与推理产生的海量数据（如参数、中间结果）需大容量存储支持，同时本地实时交互依赖高速读写。 2、边缘存储优化 ：AI眼镜作为边缘设备，更需低功耗、高可靠性的存储芯片。例如，部分场景可能采用小容量但耐用的存储介质，以平衡性能与能耗。 KOWIN ePOP 和 KOWIN Small PKG.eMMC 嵌入式存储芯片凭借 小尺寸 、 低功耗 和 高性能 的特性，成为AI眼镜的理想解决方案。不仅能提供高容量存储以稳定本地数据，还能高效处理DeepSeek的端云协同计算需求，确保AI眼镜在隐私敏感场景下快速响应，同时在复杂任务中无缝衔接云端算力，实现性能与安全的平衡。 三、产业链协同：从芯片到场景的生态共建 AI眼镜的落地不仅是技术问题，更是产业链整合的结果。 1. 存储芯片的端侧革命 为支持DeepSeek模型的本地化部署，端侧存储芯片需集成AI加速单元（如NPU）与高效存储接口。现国产芯片已推出低功耗、高集成度的SoC芯片，专为AI眼镜设计，支持AR显示、多模态交互等功能。 2. 生态闭环的加速形成 硬件适配：国产算力芯片已逐渐全面可适配DeepSeek，为AI眼镜提供算力基础。 场景拓展：从消费级（如平价AI眼镜）到工业级（如设备巡检），DeepSeek与存储芯片的协同正在解锁更多应用场景。 四、未来趋势：轻量化、专业化、与国产化 1. 轻量化与成本下降 DeepSeek的模型压缩技术将持续降低AI眼镜的硬件门槛，配合国产工艺芯片，推动终端价格亲民化。 2.专业化场景深耕 未来AI眼镜或将分化出消费级（娱乐、导航）与工业级（维修、培训）两条赛道，不同场景对存储芯片的容量、速度需求差异显著，厂商需提供定制化解决方案。 3. 国产替代加速 在大环境背景下，国产存储芯片与AI模型的深度绑定将成为行业常态，推动全产业链自主可控。 AI眼镜的普及，是DeepSeek算法革新、存储芯片性能跃升与端侧算力突破的共同成果。随着国产技术的持续突破，这场由算法、芯片与终端共舞的科技盛宴，正悄然改写人机交互的未来图景。 ——文章出自康盈公众号 联系人：深圳市中科领创实业有限公司（陈泱伽） 联系方式：18822846570

【哔哥哔特导读】不确定性正笼罩着存储芯片市场，价格走向扑朔迷离，厂商们必须做好充分准备。 据国外媒体报道，韩国三星电子旗下工会29日宣布，由于加薪谈判破裂，将于6月7日发动罢工——这将成为三星电子成立55年以来的首次罢工。 其实自从今年1月份以来，该工会一直在与三星电子管理层谈判加薪问题。对于此次谈判破裂，工会将责任归咎于拒绝对话的管理层一方。 ▲三星罢工相关新闻(图源：X截图) 据悉，该工会约有2.8万名员工，约占三星电子员工总数的22%。如果工会所有成员进入集体罢工状态，三星电子的相关生产活动将不可避免地受到严重影响。 目前，三星电子在无论是DRAM还是NADA Falsh都有着全球第一的市场占有率。2023年的数据显示，三星电子DRAM与NAND Flash全球产出比重分别为46.8%与32.4%。而韩厂占全球DRAM总产出的46.8%与全球NAND Flash总产出的17.8%左右，可谓是举足轻重。 ▲2023年DRAM和NAND Flash全球市场份额(图源 ：Trendforce) 毫不夸张地说，三星电子稍微有点风吹草动都将在存储芯片市场掀起风暴。 然而，市场研究机构Trendforce却表示三星电子此次罢工不会影响DRAM与NAND Flash生产，不会造成出货短缺。他认为，DRAM与NAND Flash现货价格在罢工宣布前就已经开始下跌，自罢工宣布后，跌势仍未改变。 关于罢工不会影响生产的说法，Trendforce给出了四点原因：首先，罢工地点为三星首尔瑞草总部，虽然员工参与度较高，但这些员工并不直接参与生产。其次，此次罢工仅持续一天，属于生产弹性排程范围。第三，6月6日是韩国公共假期，7日已有部分员工申请休假，可提前调整生产排程与人力配置。最后，晶圆厂高度依赖自动化生产，人工需求极低，因此此次罢工对未来内存供应不会造成实质影响。 不过，就此前三星电子所经历过的情况来看，似乎并不是无关紧要的事情。停产对于三星电子和整个存储芯片市场而言影响是巨大的，三星电子韩国工厂曾在2018年3月遭遇过于此停电。当时仅28分钟的停电时间导致全球闪存产量减少3.5%，三星电子为此损失了超过3600万美元。2019年，三星电子另一家工厂停电一分钟，恢复生产却花费了三天时间。2021年，由于电网故障的原因，三星电子在德克萨斯州奥斯汀工厂停产了一个月，损失近2.9亿美元。由于难以重新启动生产，当时也加剧了芯片短缺问题。 ▲6月3日DRAM价格变化(图源：Trendforce) 就目前的市场反应来看，自工会宣布罢工至今，DRAM和NAND Flash的市场价格并没有出现太多的波动，看来目前市场对此事件还并没有做出反应。然而参考此前发生的停产事件，此次罢工估计很大可能会给三星电子带来巨大损失。 对于全球存储芯片市场而言，最终涨价与否还是得看此次罢工时间的长短。短期来看，三星电子以及各大存储芯片厂商仍可以通过现有的库存来应对市场需求，对于价格的反应不会那么迅速。但如果工会于管理层双方谈判没法推进，罢工时间拉长，DRAM和NAND Flash芯片则一定会迎来价格上涨。 不过，无论此次三星电子罢工成功与否，对国内的存储芯片厂商来说都是一件好事。在国内存储芯片市场中，韩系厂商三星电子和SK海力士占据主要市场份额，国内存储芯片自给率还低于10%，国产厂商的提升空间还很大。 即便此次三星电子管理层与工会关于薪资事宜在多番拉扯之后最终谈拢，对于三星电子而言，其成本也势必会上涨，国内厂商在价格竞争中会有更多的优势。一旦三星电子此次罢工持续时间拉长，严重影响到生产，那么存储芯片的价格同样会上涨，国内的存储芯片厂商也将因此受惠。三星电子无法正常供货，国内存储芯片厂商就能借此机会抢占更多的国内市场份额。 不论处于什么样的状况，国内的储存芯片厂商都会迎来一次难得的机会。想要实现“稳赢”，就必须先做好充分的计划——“机会只会留给有准备的人”。 本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载

　　雷龙发展Nand flash芯片试用体验 　　一、项目背景 　　最近自己开始准备了一个智能家居控制系统项目，需要包含室内的温湿度、空气质量、烟雾浓度以及气体含量，能够存储相应的数据，并进行显示。 　　Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。 　　二、产品解析 　　NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 　　“NAND存储器”经常可以与“NOR存储器”相互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码并且需要多次擦写，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 　　NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。 　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。 　　三、主要区别 　　NOR与NAND的区别 　　性能比较 　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除 操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前 先要将目标块内所有的位都写为0。 　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s ，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进 行的，执行相同的操作最多只需要4ms。 　　执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时）， 更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 　　NOR的读速度比NAND稍快一些。 　　NAND的写入速度比NOR快很多。 　　NAND的擦除速度远比NOR快。 　　NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更加简单。 　　NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。 　　NOR可以直接使用，并在上面直接运行代码，而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动。 　　接口差别 　　NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每 一个字节。 　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同 。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 　　NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。 　　NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 　　NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。 　　NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，例如NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。再例如三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。 　　四、产品介绍 　　CSNP64GCR01-AOW 　　不用写驱动程序自带坏块管理的NAND Flash（贴片式TF卡），尺寸小巧，简单易用，兼容性强，稳定可靠，固件可定制，LGA-8封装，标准SDIO接口，兼容SPI，兼容拔插式TF卡/SD卡，可替代普通TF卡/SD卡，尺寸7x8.5mm，内置平均读写算法，通过1万次随机掉电测试，耐高低温，机贴手贴都非常方便，速度级别Class10（读取速度23.5MB/S写入速度12.3MB/S）标准的SD 2.0协议使得用户可以直接移植标准驱动代码，省去了驱动代码编程环节。支持TF卡启动的SOC都可以用SD NAND，提供STM32参考例程及原厂技术支持，容量：8GB，比TF卡稳定，比eMMC易用，样品免费试用。 　　五、产品优势 　　六、样品展示 　　很感谢雷龙发展提供了样品支持和试用，让自己的项目得到了更好的实现，这一次制作的U盘读取和写入使用到了这款产品，体验到了产品的优势和核心性能，感觉真的挺好的。 　　实物转接板 　　芯片实物图 雷龙发展官方网址： SD NAND FLASH-贴片式SD卡-贴片式t卡-存储芯片 ———————————————— 　　亲爱的卡友们，欢迎光临雷龙官网，如果看完文章之后还是有疑惑或不懂的地方，请联系我们，自己去理解或猜答案是件很累的事，请把最麻烦的事情交给我们来处理，术业有专攻，闻道有先后， 深圳市雷龙发展 专注存储行业13年，专业提供小容量存储解决方案。