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  随着工艺的演进，集成电路产品的研发成本和设计难度都将越来越高，作为半导体产业链中的重要环节，芯片代工企业只有与IC设计者更紧密的合作才能克服此项挑战。按照摩尔定律，芯片中的晶体管数量越多，性能就越好。无论是对IDM厂商或是芯片代工业者来说一个很大的问题是，随着芯片微缩，开发先进工艺技术的成本也越来越高。   日前，有记者采访了TSMC对外发言人孙又文处长。孙又文表示，台积电加大先进芯片工艺技术研发的投入，今年年底台积电将推出20nm工艺，在2013年底实现20nm技术节点的量产，并在2015年新建的生产线上实现16nm工艺量产。TSMC有专门的团队与客户的设计团队合作，好让客户的产品能顺利在晶圆厂生产。而且TSMC设计布建阶段就与策略性客户在程序库、IP等支持上有更紧密的合作。基本上可以说是与客户建立了一种类IDM的运作架构。因此，孙又文对这种合作模式的前景表示出了非常乐观的态度，她说，“用我们董事长张忠谋的话来说，我们的这种合作可以说是‘天作之合’。”   TSMC推动450mm晶圆厂建设   推动半导体业进步的两个轮子，一个是特征尺寸缩小，另一个是硅片直径增大。毋庸置疑，尺寸缩小总是占先。影响尺寸微缩的光刻技术，目前是一直沿用更短的曝光波波长，如ArF光源，振荡波长为193nm。由于极紫外线光刻(EUV)技术的多次推迟，使得193nm光学光刻方法发挥到淋漓尽致。如从193nm干法到湿法，一直到工艺繁复与成本增加的双重图形技术。   日前，ASML公司同时向英特尔、三星电子和TSMC发出了收购邀请，英特尔率先宣布投资总额41亿美元收购ASML公司15%的股份，其中超过30亿美元是用在收购ASML股份，10亿美元用作新技术的开发，协助加速450mm制造工具与EUV光刻技术的开发。随后，TSMC也作出了积极回应，孙又文说，“我们将投资总额为11亿欧元于ASML公司，以收购5%的股份和研发基金投入。”据悉，三星电子也承诺将投入约5亿欧元取得ASML公司3%的股份。 据Gartner预估，450mm工具开发的研发成本将耗资170亿美元，今年的支出预计是20亿美元。而其他机构预估的开发成本则差距颇大，最少的预估成本是100亿美元，也有250亿美元和400亿美元的。在过去，每改换一次晶圆尺寸需要大约10年时间。例如，从1991年采用200mm晶圆开始计算，到2001年开始启用300mm晶圆技术就需要至少十年时间。鉴于过去每10年，半导体工业便向更大晶圆尺寸进行转移；为跟上历史的步伐，三星、TSMC和英特尔等半导体巨头都曾表示，2012年是开始450mm晶圆的适当时机，但是就目前看来技术还不成熟。不过，450mm晶圆厂已是大势所趋，美国和亚洲的几家芯片商都致力于在其最新的晶圆厂中推出450mm技术，包括IBM、英特尔、GlobalFoundries、TSMC与三星电子五家芯片巨擘共同组成，耗资48亿美元的G450联盟(Global 450 Consortium)。该联盟也得到了纽约州的大力支持。五家公司将统一步调，加速从现有的300mm晶圆向新一代450mm晶圆过渡。“TSMC愿意为新技术的发展贡献自己的一份力。”孙又文如是说。 而对年初开始就广受诟病的28nm工艺产能短缺问题，孙又文给予回应说，“年初我们的28nm产能的确比较吃紧，但在我们的努力之下，位于台中科学园区的Fab15厂新产能大量开出，本季安装产能较上季大幅增加，到第四季度基本上能满足客户的需求。”

提高多层板层压品质工艺技术总结 由于电子技术的飞速发展，促使了印制电路技术的不断发展。PCB板经由单面-双面一多层发展，并且 多层板 的比重在逐年增加。多层板表现在向高*精*密*细*大和小二个极端发展。而多层板制造的一个重要工序就是层压，层压品质的控制在多层板制造中显得愈来愈重要。因此要保证多层板层压品质，需要对多层板层压工艺有一个比较好的了解．为此就多年的层压实践，对如何提高多层板层压品质在工艺技术上作如下总结： 一、设计符合层压要求的内层芯板 　　由于层压机器技术的逐步发展，热压机由以前的非真空热压机到现在的真空热压机，热压过程处于一个封闭式系统，看不到，摸不着。因此在层压前需对内层板进行合理的设计，在此提供一些参考要求： 　　1、要根据多层板总厚度要求选择芯板厚度，芯板厚度一致，偏差小，下料经纬方向一致，特别是6层以上多层板，各个内层芯板经纬方向一定要一致，即经方向与经方向重叠，纬方向与纬方向重叠，防止不必要的板弯曲。 　　2、芯板的外形尺寸与有效单元之间要有一定的间距，也就是有效单元到板边距离要在不浪费材料的前提下尽量留有较大的空间，一般四层板要求间距大于10mm，六层板要求间距大于15mm、层数愈高，间距愈大。 　　3、定位孔的设计，为减少多层板层与层之间的偏差，因此在多层板定位孔设计方面需注意：4层板仅需设计钻孔用定位孔3个以上即可。6层以上多层板除需设计钻孔用定位孔外还需设计层与层重叠定位铆钉孔5个以上和铆钉用的工具板定位孔5个以上。但设计的定位孔，铆钉孔，工具孔一般是层数愈高，设计的孔的个数相应多一些，并且位置尽量靠边。主要目的是减少层与层之间的对位偏差和给生产制造留有较大的空间。对靶形设计尽量满足打靶机自动识别靶形的要求、一般设计为完整圆或同心圆。 　　4、内层芯板要求无开、短、断路、无氧化、板面清洁干净、无残留膜。 二、满足PCB用户要求，选择合适的PP、CU箔配置 　　客户对PP的要求主要表现在介质层厚度、介电常数、特性阻抗、耐电压、层压板外表光滑程度等方面的要求，因此选择PP时可根据如下方面去选择： 　　1、层压时Resin能填满印制导线的空隙。 　　2、能在层压时充分排除叠片间空气和挥发物。 　　3、能为多层板提供必须的介质层厚度。 　　4、能保证粘结强度和光滑的外表。 　　根据多年的生产经验，个人认为4层板层压时PP可用7628、7630或7628+1080、7628+2116等配置。6层以上多层板PP选择主要以1080或2116为主，7628主要作为增加介质层厚度用PP。同时PP要求对称放置，确保镜面效应，防止板弯。 　　5、CU箔主要根据PCB用户要求分别的配置不同型号，CU箔质量符合IPC标准。 三、内层芯板处理工艺 　　多层板层压时、需对内层芯板进行处理工艺。内层板的处理工艺有黑氧化处理工艺和棕化处理工艺，氧化处理工艺是在内层铜箔上形成一层黑色氧化膜，黑色氧化膜厚度为0．25-4)．50mg／cm2。棕化处理工艺(水平棕化)是在内层铜箔上形成一层有机膜。内层板处理工艺作用有： 　　1、 增加内层铜箔与树脂接触的比表面，使二者之间的结合力增强。 　　2、增加融熔树脂流动时对铜箔的有效湿润性，使流动的树脂有充分的能力伸人氧化膜中，固化后展现强劲的抓地力。 　　3、 阻绝高温下液态树脂中固化剂双氰胺的分解一水分对铜面的影响。 　　4、使多层板在湿流程工序中提高抗酸能力、预防粉红圈。 四、层压参数的有机匹配多层板层压参数的控制主要系指层压"温度、压力、时间"三者的有机匹配 　　1、温度、层压过程中有几个温度参数比较重要。即树脂的熔融温度、树脂的固化温度、热盘设定温度、材料实际温度及升温的速度变化。熔融温度系温度升高到70℃时树脂开始熔化。正是由于温度的进一步升高，树脂进一步熔化并开始流动。在温度70-140℃这段时间内，树脂是易流体，正是由于树脂的可流性，才保证树脂的填胶、湿润。随着温度逐渐升高，树脂的流动性经历了一个由小变大、再到小、最后当温度达到160-170℃时，树脂的流动度为0，这时的温度称为固化温度。为使树脂能较好的填胶、湿润，控制好升温速率就得很重 要，升温速率是层压温度的具体化，即控制何时温度升到多高。升温速率的控制是多层板层压品质的一个重要参数，升温速率一般控制为2-4℃／MIN。升温速率与PP不同型号，数量等密切相关。对7628PP升温速率可以快一点即为2-4℃／min、对1080、2116PP升温速率控制在1．5-2℃／MIN同时PP数量多、升温速率不能太快，因为升温速率过快，PP的湿润性差，树脂流动性大，时间短，容易造成滑板，影响层压品质。热盘温度主要取决于钢盘、钢板、皮牛纸等的传热情况，一般为180-200℃。 　　2、压力、多层板层压压力大小是以树脂能否填充层间空洞， 排尽层间气体和挥发物为基本原则。由于热压机分非真空压机和抽真空热压机，因此从压力出发有一段加压。二段加压和多段加压几种方式。一般非真空压机采用一般加压和二段加压。抽真空机采用二段加压和多段加压。对高、精、细多层板通常采用多段加压。压力大小一般根据P P供应商提供的压力参数确定，一般为15-35kg／cm2。 　　3、时间、时间参数主要是层压加压时机的控制、升温时机的控制、凝胶时间等方面。对二段层压和多段层压，控制好主压的时机，确定好初压到主压的转换时刻是控制好层压质量好坏的关键。若施加主压时间过早，会导致挤出树脂、流胶太多，造成层压板缺胶、板薄，甚至滑板等不良现象。若施加主压时间过迟，则会造成层压粘结界面不牢、空洞、或有气泡等缺陷。 　　因此如何确定好层压温度、压力、时间软体参数是多层板层压加工的关键技术，根据多年层压实践经验认为层压软体参数"温度、压力、时间"有机匹配，只有在先试压OK的基础上，才能确定最理想的"温度、压力、时间"软体参数。但"温度、压力、时间"参数可根据不同的PP组合结构、不同的PP供应商、不同的PP型号、以及PP本身特性的不同确定与之相对应的层压参数。