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摘要：电流传感器监控MESFET的源漏源电流（IDS），并提供反馈意见，以克服的缺点门转门的输入阈值电压变化的砷化镓金属半导体场效应晶体管，砷化镓MESFET的。Maxim>AppNotes>AmplifierandComparatorCircuitsKeywords:MESFETs,Gallium-Arsenide,GaAsMESFETs,currentsenseamps,currentsensing,mesfet,metalsemiconductorfieldeffectDec04,2002transistorsAPPLICATIONNOTE1800SmartICMaintainsUniformBiasCurrentforGaAsMESFETsAbstract:Acurrentsensorthatmonitorsthedrain-sourcecurrent(IDS)atthesourceoftheMESFETandprovidesfeedbacktothegateinputovercomingthedrawbacksofgate-turn-onthresholdvoltagevariationsforgallium-arsenidemetal-semiconductorfield-effecttransistors,GaAsMESFETs.Thegate-turn-onthresholdvoltageforgallium-arsenidemetal-semiconductorfield-effecttransistors(GaAsMESFETs)variesconsiderablyfromparttopart,evenwithinagivenlot.That……

基于ADS的MESFET功率放大器设计维普资讯http://www.cqvip.com・４４・遥测遥控２００４年５月基于ＡＤＳ的ＭＥＳＦＥＴ功率放大器设计蔡钟斌周邦华（中国工程物理研究院电子工程研究所绵阳６２１９００）文摘提出一种在无法获取器件大信号模型条件下采用小信号法设计功率放大器的方法。在此基础上，借助ＡｇｉｌｅｎｔＡＤＳ软件采用小信号设计、提取器件的封装寄生参数、优化结合的方法设计了一个ＭＥＳＦＥＴ功率放大器。主题词功率放大器小信号ＭＥＳＦＥＴＡＤＳ前言在工程实际中，许多器件厂商并不提供大信号器件模型，通常只提供器件的小信号参数和静态１Ｖ曲线。功率放大器本质上是大信号器件，因为它们工作在功率饱和点附近，处于非线性区。然而，在大多数情况下，设计者进行有源器件仿真时，只有测量的小信号５参数。在采用小信号法之前，从器件的静态ＩＶ曲线决定大信号的负载阻抗（Ｒ），它是器件漏极端对输出匹配电路所呈现的阻抗。通过这种方法，设计者可以优化输出电路，获得最大的射频功率输出，同时，也可以优化输入电路，获得最好的输入匹配和最大的增益。一般，为获得最大输出功率而采用失配的方法，故输出匹配性能较差。输出电路是……

MESFETAmplifierBiasingMESFETAmplifierBiasingAN-0002BiasingCircuitsandConsiderationsforGaAsMESFETPowerAmplifiersSummaryInordertoproperlyuseanyamplifieritisnecessarytoprovidethecorrectoperatingenvironment,especiallytheDCbias.ThisapplicationnoteoutlinessomeoftheconsiderationsforbiasingMESFETamplifiers.Itemsconsideredhereinare:Constantcurrentoperation,Temperaturecompensationofthebiasingnetwork,andPowersequencingoftheappliedvoltages.OverviewTheI-VcurvesofFigure1representatypicalMESFETdeviceinacommonsourceconfiguration.ForatypicaldeviceoperatinginClassAthedesiredcurrentis50%ofthemaximumcurrentforanyparticularpart.TypicalMESFETdevicesaredepletionmode,meaningthatthehighestdrain-sourcecurrentoccursfor……

MESFET功率放大器设计：小信号法,MESFET功率放大器设计：小信号法……

MESFET功率放大器设计MESFET功率放大器设计作者AlSweet小信号法基本工程问题:没有大信号器件模型,怎样设计功率放大器?*许多器件供应商不提供其器件的大信号模型.*通常提供的唯一设计数据是器件的小信号S参数和静态IV曲线.*利用前面STEVECRIPPS介绍的负载线法,根据这些数据足以设计第一类的功率放大器.功率放大器是大信号器件因为在接近功率饱和时其特性呈现非线性但许多场合设计师仅有一组小信号S参数在电路仿真时作为表示有源器件的根据由于这些S参数只适用于小信号在大信号时怎样设计最大射频输出功率和线性并不清楚SteveCripps提出一种方法可以用器件的静态IV曲线确定大信号负载线阻抗RL设计第一类放大器RL用做目标阻抗即用输出匹配电路表示的管子漏极负载用该方法设计师可以对RF最大输出功率优化输出电路同时对最佳输入匹配和最大增益优化输入电路通常输出匹配较差这是因为为了输出最大RF功率有意造成一定失配即输出匹配对RL优化而不是对器件的S22优化该方法的局限性*仅对最大Psat优化*仅对A类和AB类工作状态有效*无法计算交调产物IM3IMR5IP3*无法计算谐波电平*无法计算ACPR对数字调制小信号设计技术有其局限性输出电路对最大RF饱和功率优化但不一定对最大线性功率就是说无法直接计算1dB压缩点输出功率而且也无法直接计算放大器的二音交调性能IM3IM5IP3和IP5为了计算这些重要参数设计师必须依靠测量法或经验rulesofthumbMESFET放大器的两个重要经验是*P-1dB比Psat约低1dB*IP3比P-1dB约高10―12dB论题用小信号法求……

小信号法设计功率放大器设计-小信号法（ADS程序+英文资料+...,MESFET功率放大器设-小信号法……