标签: 带隙
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程文涛_英飞凌的宽带隙功率解决方案：硅、碳化硅、氮化镓
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一种带分段曲率补偿的高电源抑制比的带隙基准电压源
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一直以来，带隙基准提供的都是固定的1.2V至10V输出，能够提供可调输出的产品为数不多。LT6650拓展了带隙技术的应用范围，在采用ThinSOT封装下，可在低至1.4V的单电源和低至0.4V的输出电压下提供可靠的操作能力……
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摘要：电压基准源简单、稳定的基准电压，作为电路设计的一个关键因素，电压基准源的选择需要考虑多方面的问题并作出折衷。本文讨论了不同类型的电压基准源以及它们的关键特性和设计中需要考虑的问题，如精确度、受温度的影响程度、电流驱动能力、功率消耗、稳定性、噪声和成本。选择最佳的电压基准源Apr13,2004摘要：电压基准源简单、稳定的基准电压，作为电路设计的一个关键因素，电压基准源的选择需要考虑多方面的问题并作出折衷。本文讨论了不同类型的电压基准源以及它们的关键特性和设计中需要考虑的问题，如精确度、受温度的影响程度、电流驱动能力、功率消耗、稳定性、噪声和成本。几乎在所有先进的电子产品中都可以找到电压基准源，它们可能是独立的、也可能集成在具有更多功能的器件中。例如：在数据转换器中，基准源提供了一个绝对电压，与输入电压进行比较以确定适当的数字输出。在电压调节器中，基准源提供了一个已知的电压值，用它与输出作比较，得到一个用于调节输出电压的反馈。在电压检测器中，基准源被当作一个设置触发点的门限。要求什么样的指标取决于具体应用，本文讨论不同类型的电压基准源、它们的关键指标和设计过程中要综合考虑的问题。为设计人员提供了选择最佳电压基准源的信息。理想情况理想的电压基准源应该具有完美的初始精度，并且在负载电流、温度和时间变化时电压保持稳定不变。实际应用中，设计人员必须在初始电压精度、电压温漂、迟滞以及供出/吸入电流的能力、静态电流(即功率消耗)、长期稳定性、噪声和成本等指标中进行权衡与折衷。基准源的类型两种常见的基准源是齐纳和带隙基准源。齐纳基准源通常采用两端并联拓扑；带隙基准源通常采用三端串连拓扑。齐纳二极管和并联拓扑齐纳二极管优化工作在反偏击穿区域，因为击穿电压相对比较稳定，可以通过一定的反向电流驱动产生稳定的基准源。齐纳基准源的最大好处是可以得到很宽的电压范围，2V到200V。它们还具有很宽范围的功率，从几个毫瓦到几瓦。齐纳二极管的主要缺点是精确度达不到高精度应用的要求，而且，很难胜任低功耗应用的要求。例如：BZX84C2V7LT1，它的击穿电压，即标……
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带隙基准TL431应用带隙基准TL431应用张建志2006-1-6几乎在所有先进的电子产品中都可以找到电压基准源，它们可能是独立的、也可能集成在具有更多功能的器件中。例如：在数据转换器中，基准源提供了一个绝对电压，与输入电压进行比较以确定适当的数字输出。在电压调节器中，基准源提供了一个已知的电压值，用它与输出作比较，得到一个用于调节输出电压的反馈。在电压检测器中，基准源被当作一个设置触发点的门限。要求什么样的指标取决于具体应用，不同类型的电压基准源、它们的关键指标和设计过程中要综合考虑的问题。为设计人员提供了选择最佳电压基准源的信息。理想的电压基准源应该具有完美的初始精度，并且在负载电流、温度和时间变化时电压保持稳定不变。实际应用中，设计人员必须在初始电压精度、电压温漂、迟滞以及供出/吸入电流的能力、静态电流（即功率消耗）、长期稳定性、噪声和成本等指标中进行权衡与折衷。实践证明TL431可以应用在12位或12位以下精度的数据转换器中。基准源的类型可分为齐纳基准、掩埋齐纳基准、带隙基准、X-FET基准。这里介绍一下带隙电压基准TL431的应用。TL431是一种并联稳压集成电路，其内部采用2.5V带隙基准。因其性能好、价格低，广泛应用于电路中。[pic]TL431的常用封装TL431原理原理图和符号如图所示。放大器反相端是2.5V带隙基准，三个脚的定义位阴极CATHODE，阳极ANODE，和参考端ref。TL431是一个具有良好热稳定性的三段可调基准源。除做稳压功能外，还能做电压基准、电压比较器、恒流源、放大器等。……
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傻瓜东东学RF之7：用于各种微波设计的简单的光子带隙(PBG...,用于各种微波设计的简单的光子带隙(PBG)结构……
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关于带隙基准的一片论文ALowNoiseCMOSVoltageReferenceAThesisPresentedtoTheAcademicFacultybyWilliamTimothyHolmanInPartialFulfillmentoftheRequirementsfortheDegreeDoctorofPhilosophyinElectricalEngineeringGeorgiaInstituteofTechnologyOctober7,1994Copyrightc1994byWilliamTimothyHolmanALowNoiseCMOSVoltageReferenceApproved:____________________________________J.AlvinConnelly,Chairman____________________________________PhillipE.Allen____________________________________W.MarshallLeach,Jr.____________________________________ThomasD.Morley____________________________________JohnP.UyemuraDateApproved______________________iiACKNOWLEDGMENTSAnengineeringdissertationisnevertheworkofasingleindividual,butinsteadaproductofthelab……
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coms带隙基准电源设计陈碧罗岚周帅林（东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京，210018）摘要：本文阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。该电路采用Chartered0.25ｕｍN阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明：当温度在－25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12ppm/℃。在3.3V电源电压下的功耗为3.8mw，属于低温漂、低功耗的基准电压源。关键词：带隙参考电压源温度补偿电源抑制比1引言基准电压源是当今集成电路中极为重要的组成部分，尤其是在数模转换器(DAC)以及模数转换器(ADC)等电路中，就更需要设计出一种输出与温度无关的基准电压源。在MOS技术中，基准电压源是在增强型和耗尽型MOS管的阈值电压之差的基础上实现的，虽然可以获得较低的温度系数，但是由于输出电压的大小取决于离子注入的掺杂浓度大小，所以输出电压的大小很难控制。早期的传统CMOS基准电压源电路可以获得温度系数为85ppm/℃左右的输出参考电压。但是该温度性能往往不能满足目前一些电路的设计要求。本文主要讨论一种采用一阶温度补偿技术设计的低温漂CMOS带隙基准电压源，并用Chartered0.25ｕｍ工艺实现了该设计。电路的输出参考电压的温度系数为12.10-6/℃。2具体电路实现以及分析2.1电路实现在温度T＝300℃的时候，VBE的温度系数大约为-2.2mV/℃,VT的温度系数为+0.086mV/℃。由于VBE和VT的电压温度系数相反，利用这两个电压的线性叠加，可以获得零温度系数的输出电压。这是带隙电压源的基本设计思想。本文所提出的电路结构如图1所示，在……
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