coms带隙基准电源设计 陈碧 罗岚 周帅林 　　（东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京，210018） 　 　　摘　要：本文阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路 。该电路采用Chartered0.25ｕｍ N阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明：当温度在－25℃到85℃之间变化时该电路 输出电压的温度系数为12ppm/℃。在3.3V电源电压下的功耗为3.8mw，属于低温漂、低功 耗的基准电压源。 　　关键词：带隙参考电压源 温度补偿 电源抑制比 　　1 引言 　　基准电压源是当今集成电路中极为重要的组成部分，尤其是在数模转换器(DAC)以及 模数转换器(ADC)等电路中，就更需要设计出一种输出与温度无关的基准电压源。 　　在MOS技术中，基准电压源是在增强型和耗尽型MOS管的阈值电压之差的基础上实现 的 ，虽然可以获得较低的温度系数，但是由于输出电压的大小取决于离子注入的掺杂浓度 大小，所以输出电压的大小很难控制。早期的传统CMOS基准电压源电路 可以获得温度系数为85ppm/℃左右的输出参考电压。但是该温度性能往往不能满足目前一 些电路的设计要求。 　　本文主要讨论一种采用一阶温度补偿技术设计的低温漂CMOS带隙基准电压源，并用 Chartered 0.25ｕｍ工艺实现了该设计。电路的输出参考电压的温度系数为12.10- 6/℃。 　　2 具体电路实现以及分析 　　2.1电路实现 　　在温度T＝300℃ 的时候，VBE 的温度系数大约为-2.2mV/℃,VT 的温度系数为+0.086mV/℃ 。由于VBE 和VT 的电压温度系数相反，利用这两个电压的线性叠加，可以获得零温度系数的输出电压。 这是带隙电压源的基本设计思想。 　　本文所提出的电路结构如图1所示，在……