tag 标签: 推挽

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    推挽正激变换器原理图说明
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    上传者: JC丶
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    上传者: ZHUANG
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    上传者: ZHUANG
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    上传者: stanleylo2001
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    时间: 2021-3-17 18:02
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    上传者: xiaosh728
    正激_反激_双管反激_推挽开关电路小结
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    时间: 2020-12-11 23:29
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    上传者: czdian2005
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    上传者: LGWU1995
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    利用MOS场效应管(MOSFET),采取AB类推挽式功率放大方式,采用传输线变压器宽带匹配技术,设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块,其输出脉冲功率达1200W,工作频段0.6M~10MHz.调试及实用结果表明,该放大器工作稳定,性能可靠.……
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    时间: 2020-1-13 12:58
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    2kW新型推挽正激直流变换器的研制2kW新型推挽正激直流变换器的研制|[日期:2005-9|来源:电源技术应用 作者:王琪龚春英||-12]||摘要:介绍了一种新型推挽正激电路的工作原理,对环流过程进行了透彻分析,分析了箝位电容和变压器原边漏感对电路工作的影响。通过仿真和实验对所述理论分析进行了验证。基于此研制出输入电压DC24~32V,输出电压DC120V的2kW直流变换器样机,典型效率为93.2%,表明该电路具有可靠、效率高的特点,适合于低压大电流输入中大功率应用场合。关键词:推挽;推挽正激;直流变换器引言在低压大电流场合中,推挽电路以其结构简单、磁芯利用率高的优点而得到了广泛应用。但是,传统的推挽电路存在如下几个缺点:1)由于原边漏感的存在,功率管关断时,漏源极产生较大的电压尖峰;2)输入电流纹波的安秒积分大,因而输入滤波器的体积较大。本文在传统推挽电路的基础上增加了一个箝位电容,便可以解决上述传统电路存在的两个缺点。[pic]1推挽正激电路工作原理如图1所示,该变换器的两个主功率开关管V1及V2和两个匝数均为Np的初级绕组Tp1及Tp2交替连接成一个回路,在回路的两个中点之间连接一个箝位电容C。Cin为输入电容,Dv1及Dv2为两个主功率开关管寄生的反并二极管。D1及D2组成双半波整流电路。电源正极→Tp2→C→Tp1→电源负极构成一个回路。忽略变压器漏感则加在变压器原边两个绕组的电压之和为……
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    上传者: 微风DS
    CCFL推挽式缓冲电路CCFL推挽式缓冲电路DS3984,DS3988,DS3881,DS3882,DS3992和DS3994为冷阴极荧光灯(CCFL)控制器,它们使用推挽结构来产生驱动荧光灯所需的高压交流波形。在推挽式驱动器中,升压变压器的寄生电感与n沟道功率MOSFET的寄生输出电容组成了一个谐振回路,能产生不期望的尖峰电压。高压尖峰会增加功率MOSFET承受的应力,同时也会增大系统产生的电磁干扰(EMI)。本应用笔记描述了如何用一个简单的电阻-电容(RC)网络来抑制该尖峰电压。无抑制时的漏极电压图1详细列出了使用15V直流电源工作时,推挽式驱动器的典型栅极驱动电压和漏极电压波形。在推挽式驱动结构中,当互补MOSFET开启时,正常情况下漏极电压会升至直流电源电压的两倍(或者本例中的30V)。然而,如图1所示,尖峰电压却高达54V。在MOSFET关闭以及互补MOSFET开启时,n通道功率MOSFET的漏极也会出现尖峰电压。图1.无缓冲电路时的漏极电压可抑制漏极尖峰电压的电路及设计可以通过为每个漏极添加简单的RC网络来抑制尖峰电压,如图2所示。合适的电阻(R)和电容(C)值可由如下过程确定。在阐述该过程之后,将有一个实例演示如何降低图1所示的尖峰电压。图2.推挽驱动器的漏极缓冲电路确定合适的缓冲电路RC值:1.2.测量尖峰谐振频率。见图3所示实例。在MOSFET的漏极和源极上并联一个电容(无电阻,仅电容),调整电容值,直到尖峰谐振频率降低到原来的二分之一。此时,该电容值为产生尖峰电压的寄生电容值的三倍。3.因为寄生电容值已知,寄生电感值可用如下等式求得:L=1/[(2F)2xC],其中,F=谐振频率,C=寄生电容值4.……
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    时间: 2020-1-14 14:28
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    上传者: quw431979_163.com
    低电压低功耗恒跨导CMOS推挽运算放大器的设计与研究应用研究APPLICATION低电压低功耗恒跨导CMOS推挽运算放大器的设计与研究DesignandStudyofALow-voltage,Low-power,ConstantTansconductanceRail-to-railPush-pllCMOSOp-amp湖南大学电气与信息工程学院(长沙410082)张杰方厚辉房华华孝泉摘要:本文设计和研究了一种新型的低电压低功耗且有恒定跨导的CMOS运算放大器,输入级采用电流镜技术的差分输入级结构,输出为推挽结构,其输入输出摆幅均为Rail-to-rail,工作电压为2.0V低电源电压,整个电路采用标准的中芯国际0.35mCMOS工艺参数进行设计。Abstract:Thispaperdesinsandstudiesanewlow-voltage,low-power,constanttransconduc-tancerail-to-railCMOSop-amp.Inputcircuitusesanewcurrentmirrorstechnologyandoutputcircuitispush-pll.Inaword,theswingofthewholecircuitisrail-to-rail.Thecircuitdesignisrealizedin0.35mCMOStechnologyandworksina2.0Vlowsupplyvoltage.关键词:CMOS低功耗Rail-to-rail推挽Push-pllKeywords:CMOSLow-powerRail-to-rail1引言近年来,随着集……