CCFL推挽式缓冲电路CCFL 推挽式缓冲电路 DS3984, DS3988, DS3881, DS3882, DS3992 和 DS3994 为冷阴极荧光灯(CCFL)控制器，它们使用推挽结构来 产生驱动荧光灯所需的高压交流波形。在推挽式驱动器中，升压变压器的寄生电感与 n 沟道功率 MOSFET 的寄生输出 电容组成了一个谐振回路，能产生不期望的尖峰电压。高压尖峰会增加功率 MOSFET 承受的应力，同时也会增大系统 产生的电磁干扰(EMI)。本应用笔记描述了如何用一个简单的电阻-电容(RC)网络来抑制该尖峰电压。 无抑制时的漏极电压 图 1 详细列出了使用 15V 直流电源工作时，推挽式驱动器的典型栅极驱动电压和漏极电压波形。在推挽式驱动结构中， 当互补 MOSFET 开启时，正常情况下漏极电压会升至直流电源电压的两倍(或者本例中的 30V)。然而，如图 1 所示， 尖峰电压却高达 54V。在 MOSFET 关闭以及互补 MOSFET 开启时，n 通道功率 MOSFET 的漏极也会出现尖峰电压。 图 1. 无缓冲电路时的漏极电压 可抑制漏极尖峰电压的电路及设计 可以通过为每个漏极添加简单的 RC 网络来抑制尖峰电压， 如图 2 所示。 合适的电阻(R)和电容(C)值可由如下过程确定。 在阐述该过程之后，将有一个实例演示如何降低图 1 所示的尖峰电压。 图 2. 推挽驱动器的漏极缓冲电路 确定合适的缓冲电路 RC 值： 1. 2. 测量尖峰谐振频率。见图 3 所示实例。 在 MOSFET 的漏极和源极上并联一个电容(无电阻，仅电容)，调整电容值，直到尖峰谐振频率降低到原来的 二分之一。此时，该电容值为产生尖峰电压的寄生电容值的三倍。 3. 因为寄生电容值已知，寄生电感值可用如下等式求得： L = 1 / [(2 F)2 x C]，其中，F＝谐振频率，C = 寄生电容值 4. ……