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《模拟集成电路的分析与设计》是高等教育出版社出版的图书，作者是（美国）格雷（PaulR.Gray）（美国）PaulJ.Hurst（美国）StephenH.Lewis。《模拟集成电路的分析与设计》介绍模拟集成电路的分析与设计。全面阐述了模拟集成电路的基本原理和概念，同时还阐述了模拟集成电路的新技术和新全书共十二章。本书前七章介绍了集成电路放大器件模型，双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术，单级放大器与多级放大器，镜像电流源、有源负载和基准源，输出级，单端输出的运算放大器以及集成电路的频率呼应第八、九章介绍了反馈，反馈放大器的频率呼应和稳定性，第十章至十二章介绍了非线性模拟电路，集成电路的噪声和全差分运算广大器。《模拟集成电路的分析与设计》是现代模拟集成电路分析与设计的教材或参考书。既可以作为研究生或高年级本科生的教科书，也可作应用工程的参考书，同时又是一本比较全面、系统的模拟集成电路方面的专著。第一章集成电路放大器件模型1.1引言1.2pn结的耗尽区1.2.1势垒电容1.2.2结击穿1.3双极型晶体管的大信号特性晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。1.3.1正向放大区的大信号模型1.3.2集电极电压对正向放大区大信号特性的影响1.3.3饱和区和反向放大区1.3.4晶体管击穿电压1.3.5工作条件决定晶体管电流增益1.4双极型晶体管的小信号模型1.4.1跨导1.4.2基区寄生电容1.4.3输入电阻1.4.4输出电阻1.4.5双极型晶体的基本小信号模型1.4.6集电极－－基极电阻1.4.7小信号模型的寄生单元1.7.8晶体管频率呼应特性1.5金属氧化物效晶体管的大信号特性1.5.1MOS器件的转移特性1.5.2双极型晶体管和MOS晶体管工作区的比较1.5.3栅－源电压的分解1.5.4阈值的温度独立性1.5.5MOS器件的电压限制1.6MOS晶体管的小信号模型1.6.1跨导1.6.2栅－源以及栅－漏固有电容1.6.3输入电阻1.6.4输出电阻1.6.5MOS晶体管的基本小信号模型1.6.6衬底跨导1.6.7小信号模型的寄生单元1.6.8MOS晶体管的频率呼应1.7MOS晶体管的短沟道效应1.7.1水平场中的速率饱和1.7.2跨导和特征频率1.7.3垂直场中的迁移率下降1.8MOS晶体客中的弱反型1.8.1弱反型中的漏极电流1.8.2弱反型区中的跨导和特征频率1.9晶体管中的衬底电流附录A.1.1有源器件参数列表第二章双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。2.1引言2.2集成电路产生的基本过程2.2.1硅的电阻率2.2.2固态扩散2.2.3扩散层的电特性2.2.4光刻工艺2.2.5外延生长2.2.6离子注入2.2.7局部氧化2.2.8多晶硅的淀积2.3高压双极型集成电路的制造2.4高级双极型集成电路的制造2.5双极型模拟集成电路中的放大器件2.5.1npn型晶体管集成电路2.5.2npn型晶体管集成电路2.6双极型集成电路中的无源元件2.6.1扩散电阻2.6.2外延生长电阻和外延夹断电阻2.6.3集成电路电容2.6.4齐纳二极管2.6.5结型二极管2.7基本双极型工艺的改进2.7.1电介质隔离法2.7.2高性能有源元器件的兼容处理2.7.3高性能无源元件2.8MOS集成电路的制造2.9MOS集成电路中的有源器件2.9.1n沟道晶体管2.9.2p沟道晶体管2.9.3耗尽型器件2.9.4双极型晶体管2.10MOS工艺中的无源器件2.10.1电阻2.10.2MOS工艺中的电容2.10.3CMOS技术的闩锁2.11BiCMOS技术2.12异质结双极型晶体管2.13互连延迟2.14集成电路制造过程的经济意义2.14.1集成电路制造过程的收益因素2.14.2集成电路制造中的成本核算2.15集成电路的封装因素2.15.1最大功耗2.15.2集成电路封装中的稳定性因素附录A.2.1SPICE模型参数第三章单级放大器与多级放大器3.1模拟电路近似分析中器件模型的选择3.2放大器的二端口模型3.3基本单管放大器3.3.1共射组态3.3.2共源组态3.3.3共基组态3.3.4共栅组态3.3.5有限时的共基与共栅组态3.3.5.1共基与共栅组态的输人电阻3.3.5.2共基与共栅组态的输出电阻3.3.6共集组态（射随器）3.3.7共漏组态（源极跟随器）3.3.8射极反馈的共射放大器3.3.9源极反馈的共源放大器3.4多级放大器3.4.1共集一共射，共集一共集及达林顿组态3.4.2串接组态3.4.2.1双极型串接组态3.4.2.2MOS晶体管串接组态3.4.3有源串接组态3.4.4超级源极跟随器3.5差分对3.5.1共射差分对的直流传输特性3.5.2射极反馈的直流传输特性3.5.3共源差分对的直流传输特性3.5.4差分放大器的小信号分析介绍3.5.5理想对称的差分放大器的小信号特性3.5.6差分放大器中的不匹配效应3.5.6.1输入失调电压和失调电流3.5.6.2共射差分对的等效输入失调电压3.5.6.3共射差分对的失调电压：近似分析3.5.6.4共射差分对的失调电压漂移3.5.6.5共射差分对的输入失调电流3.5.6.6共源差分对的输入失调电压3.5.6.7共源差分对的失调电压：……第三章单级放大器与多级放大器第四章镜像电流源、有源负载和基准源第五章输出级第六章单端输出的运算放大器第七章集成电路的频率响应第八章反馈第九章反馈放大器的频率响应第十章非线性模拟电路第十一章集成电路的噪声第十二章全差分运算放大器索引表

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