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模拟工程师必看:模拟集成电路的分析与设计(格雷,高清书签版)
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类别: 模拟/数字
时间:2020-01-17
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资料介绍
《模拟集成电路的分析与设计》是高等教育出版社出版的图书,作者是(美国)格雷(PaulR.Gray)(美国)PaulJ.Hurst(美国)StephenH.Lewis。

《模拟集成电路的分析与设计》介绍模拟集成电路的分析与设计。全面阐述了模拟集成电路的基本原理和概念,同时还阐述了模拟集成电路的新技术和新全书共十二章。

本书前七章介绍了集成电路放大器件模型,双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术,单级放大器与多级放大器,镜像电流源、有源负载和基准源,输出级,单端输出的运算放大器以及集成电路的频率呼应第八、九章介绍了反馈,反馈放大器的频率呼应和稳定性,第十章至十二章介绍了非线性模拟电路,集成电路的噪声和全差分运算广大器。

《模拟集成电路的分析与设计》是现代模拟集成电路分析与设计的教材或参考书。既可以作为研究生或高年级本科生的教科书,也可作 应用工程的参考书,同时又是一本比较全面、系统的模拟集成电路方面的专著。

第一章 集成电路放大器件模型
1.1 引言
1.2 pn结的耗尽区
1.2.1 势垒电容
1.2.2 结击穿
1.3 双极型晶体管的大信号特性
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
1.3.1 正向放大区的大信号模型
1.3.2 集电极电压对正向放大区大信号特性的影响
1.3.3 饱和区和反向放大区
1.3.4 晶体管击穿电压
1.3.5 工作条件决定晶体管电流增益
1.4 双极型晶体管的小信号模型
1.4.1 跨导
1.4.2 基区寄生电容
1.4.3 输入电阻
1.4.4 输出电阻
1.4.5 双极型晶体的基本小信号模型
1.4.6 集电极--基极电阻
1.4.7 小信号模型的寄生单元
1.7.8 晶体管频率呼应特性
1.5 金属氧化物效晶体管的大信号特性
1.5.1 MOS器件的转移特性
1.5.2 双极型晶体管和MOS晶体管工作区的比较
1.5.3 栅-源电压的分解
1.5.4 阈值的温度独立性
1.5.5 MOS器件的电压限制
1.6 MOS晶体管的小信号模型
1.6.1 跨导
1.6.2 栅-源以及栅-漏固有电容
1.6.3 输入电阻
1.6.4 输出电阻
1.6.5 MOS晶体管的基本小信号模型
1.6.6 衬底跨导
1.6.7 小信号模型的寄生单元
1.6.8 MOS晶体管的频率呼应
1.7 MOS晶体管的短沟道效应
1.7.1 水平场中的速率饱和
1.7.2 跨导和特征频率
1.7.3 垂直场中的迁移率下降
1.8 MOS晶体客中的弱反型
1.8.1 弱反型中的漏极电流
1.8.2 弱反型区中的跨导和特征频率
1.9 晶体管中的衬底电流
附录
A.1.1 有源器件参数列表
第二章 双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
2.1 引言
2.2 集成电路产生的基本过程
2.2.1 硅的电阻率
2.2.2 固态扩散
2.2.3 扩散层的电特性
2.2.4 光刻工艺
2.2.5 外延生长
2.2.6 离子注入
2.2.7 局部氧化
2.2.8 多晶硅的淀积
2.3 高压双极型集成电路的制造
2.4 高级双极型集成电路的制造
2.5 双极型模拟集成电路中的放大器件
2.5.1 npn型晶体管集成电路
2.5.2 npn型晶体管集成电路
2.6 双极型集成电路中的无源元件
2.6.1 扩散电阻
2.6.2 外延生长电阻和外延夹断电阻
2.6.3 集成电路电容
2.6.4 齐纳二极管
2.6.5 结型二极管
2.7 基本双极型工艺的改进
2.7.1 电介质隔离法
2.7.2 高性能有源元器件的兼容处理
2.7.3 高性能无源元件
2.8 MOS集成电路的制造
2.9 MOS集成电路中的有源器件
2.9.1 n沟道晶体管
2.9.2 p沟道晶体管
2.9.3 耗尽型器件
2.9.4 双极型晶体管
2.10 MOS工艺中的无源器件
2.10.1 电阻
2.10.2 MOS工艺中的电容
2.10.3 CMOS技术的闩锁
2.11 BiCMOS技术
2.12 异质结双极型晶体管
2.13 互连延迟
2.14 集成电路制造过程的经济意义
2.14.1 集成电路制造过程的收益因素
2.14.2 集成电路制造中的成本核算
2.15集成电路的封装因素
2.15.1 最大功耗
2.15.2 集成电路封装中的稳定性因素
附录
A.2.1 SPICE模型参数
第三章 单级放大器与多级放大器
3.1 模拟电路近似分析中器件模型的选择
3.2 放大器的二端口模型
3.3 基本单管放大器
3.3.1 共射组态
3.3.2 共源组态
3.3.3 共基组态
3.3.4 共栅组态
3.3.5 有限时的共基与共栅组态
3.3.5.1 共基与共栅组态的输人电阻
3.3.5.2 共基与共栅组态的输出电阻
3.3.6 共集组态(射随器)
3.3.7 共漏组态(源极跟随器)
3.3.8 射极反馈的共射放大器
3.3.9 源极反馈的共源放大器
3.4 多级放大器
3.4.1 共集一共射,共集一共集及达林顿组态
3.4.2 串接组态
3.4.2.1 双极型串接组态
3.4.2.2 MOS晶体管串接组态
3.4.3 有源串接组态
3.4.4 超级源极跟随器
3.5 差分对
3.5.1 共射差分对的直流传输特性
3.5.2 射极反馈的直流传输特性
3.5.3 共源差分对的直流传输特性
3.5.4 差分放大器的小信号分析介绍
3.5.5 理想对称的差分放大器的小信号特性
3.5.6 差分放大器中的不匹配效应
3.5.6.1 输入失调电压和失调电流
3.5.6.2 共射差分对的等效输入失调电压
3.5.6.3 共射差分对的失调电压:近似分析
3.5.6.4 共射差分对的失调电压漂移
3.5.6.5 共射差分对的输入失调电流
3.5.6.6 共源差分对的输入失调电压
3.5.6.7 共源差分对的失调电压:
……
第三章 单级放大器与多级放大器
第四章 镜像电流源、有源负载和基准源
第五章 输出级
第六章 单端输出的运算放大器
第七章 集成电路的频率响应
第八章 反馈
第九章 反馈放大器的频率响应
第十章 非线性模拟电路
第十一章 集成电路的噪声
第十二章 全差分运算放大器
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