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第一章氧化工艺……

氧化工艺§1热氧化工艺一、性质及用途(一).五种用途一、性质及用途（？种）杂质扩散掩蔽膜a二、氧化原理器件表面保护或钝化膜b电路隔离介质或绝缘介质c（SRO三.、氧化方法（？种）－应力释放氧化）四、质量监测（？）电容介质材料dMOS管的绝缘栅材料e12(二)二氧化硅膜的性质2.二氧化硅膜的掩蔽性质1.二氧化硅膜的化学稳定性极高，不B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不远小于在Si中的扩散系数。起作用。氢氟酸腐蚀原理如下：Dsi>DSiO2SiO2+4HF→SiF4↑……