氧化工艺 §1 热氧化工艺 一、性质及用途 (一).五种用途 一、性质及用途 （？种） 杂质扩散掩蔽膜a 二、氧化原理 器件表面保护或钝化膜b 电路隔离介质或绝缘介质c （SRO 三.、氧化方法（？种） －应力释放氧化） 四、 质量监测（？） 电容介质材料d MOS管的绝缘栅材料e 1 2 (二)二氧化硅膜的性质 2. 二氧化硅膜的掩蔽性质 1.二氧化硅膜的化学稳定性极高，不 B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数 溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不 远小于在Si中的扩散系数。 起作用。氢氟酸腐蚀原理如下： Dsi > DSiO2 SiO 2 + 4 HF → SiF 4 ↑ ……