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2~18GHz微波宽带限幅放大器第37卷第3期2000年6月半导体情报552~18GHz微波宽带限幅放大器郭文椹表明文李永程显平(河北半导体研究所,石家庄050051)摘要采用CAD技术,应用GaAsHEMT管芯及良好的微组装工艺,研制出2~18GHz微波宽带限幅放大器。基片为氧化铝材料,尺寸0125mm×2mm×10mm,自制超微带阻容元件,一并装在很小的铜载体上。经试验调试得到以下结果:f:2~18GHz,Pout:30~50mW,Gp≥60dB,Fn≤5dB,VSWR1≤215,VSWR2≤215。关键词微波限幅放大器中图分类号:TN722文献标识码:A文章编号:100125507(2000)32552032~18GHzBroad-BandMicrowaveLimitingAmplifierGuoWenren,BiaoMingwen,LiYong,ChengXianping(HebeiSemiconductorResearchInstitute,Shijiazhuang050051)~18GHzAbstractThroughcarefullyCADandhighlevelmini2assemblyprocess,the2broad2bandmicrowavelimitingamplifierisfabricatedona0125mm×2mm×10mmAl2O3substratewith……