2～18GHz微波宽带限幅放大器第 37 卷 第 3 期 2000 年 6 月 半导体情报
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2 ～ 18GHz 微波宽带限幅放大器
郭文椹 表明文 李 永 程显平
( 河北半导体研究所, 石家庄 050051)
摘要 采用 CAD 技术, 应用 GaA s H EM T 管芯及良好的微组装工艺, 研制出 2 ～ 18GH z 微波宽带限幅放大器。基片为氧化铝材料, 尺寸 0125mm ×2mm ×10mm , 自制超微带阻 容元件, 一并装在很小的铜载体上。经试验调试得到以下结果: f : 2 ～ 18GH z, P ou t: 30 ～ 50mW , G p ≥60dB , F n ≤5dB , V SW R 1≤215, V SW R 2≤215。 关键词 微波 限幅放大器 中图分类号: TN 722 文献标识码: A 文章编号: 100125507 ( 2000) 3255203
2 ～ 18GHz Broad- Band M icrowave L i m iting Am pl if ier
Guo W en ren, B iao M ingw en, L i Yong, Cheng X ianp ing
(H ebei S em icond uctor R esea rch Institu te, S h ij iaz huang 050051)
～ 18GH z Abstract T h rough ca refu lly CAD and h igh level m in i2a ssem b ly p rocess, the 2 b road 2band m icrow ave li m it ing am p lifier is fab rica ted on a 0125mm × 2mm × 10mm A l2O 3 sub st ra te w ith ……
