tag 标签: 高頻

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    上传者: 电子阔少
    低功耗,高效率,高頻1.2MHZ,同步升壓芯片
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    时间: 2020-1-9 14:54
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    上传者: givh79_163.com
    實用高頻基本電路集ê°W°òqDDSC¤pH¤jh±aem¤j°°°±X±á°±]SONY^h±a¤jq¤§¨¤lA±á°±¤§q°tmY¤¤°hAH§Qóh±aqAbL¨ê¤W§Qh¤§±aqà¨é¤JéX¤÷Cq\vWq¤jùb°°±ìA°±ìkCq¤¤-A¨Wv¤§¤PA-ní°°¤§-A°B±°b§K]ToroidalCore^¤W|ù.P¤§E¨×iuA±b°òO¤WAp¤~¤|qeAóqq¤W±-.°gqeiH¨q°§@§ówC-na¤èYq-A¨qy¤jùb°¤§A~ALqe]TrimmerCondenser^iH¨P×F¨IAOWq¤jI¤-¨I¨¤¤@-PAHq±`Ob-¨IChMOSFETem¤j]°^°W¤jqHOHùqé]BipolarTransistor^°DyAO{b¤jH¨úN¤§C±°KO¨NíqA±á±°]F^YA\vWqiF±ì]I°C^AOAó±°W¤j¨Cóh°§@IOs°]ZeroBias^AHqcíAq¤ó@¤-A°tXí±°¤§qP¤qeNàAóUWv°W¤jqCqy°Abqq°°±¤§dò¤AqyOù¤@wChMOSFETem¤j]±^°°°CAW±aà¤jAà¤j-n¨DO-n¨}nWq-n°AHAo¨-n¨D`O|U±§A]-nbq¤W¤U¤@f¤u¤AO¨ó¤ó¤m¤§à§hA¨ùGáNiHs§@§¨C¤èkp¤UG-A¨±¤§¤è°tuA`]TrackingGenerator^¤§HgL§]ImpedanceBridgeA¤jùì^HNé¤Jem¤jé¤JA-Yé¤Jq-¤¤j|¨MA]-nS§O`……
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    时间: 2020-1-9 15:02
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    上传者: rdg1993
    實用高頻基礎電路集ê°W°òqDDSC¤pH¤jh±aem¤j°°°±X±á°±]SONY^h±a¤jq¤§¨¤lA±á°±¤§q°tmY¤¤°hAH§Qóh±aqAbL¨ê¤W§Qh¤§±aqà¨é¤JéX¤÷Cq\vWq¤jùb°°±ìA°±ìkCq¤¤-A¨Wv¤§¤PA-ní°°¤§-A°B±°b§K]ToroidalCore^¤W|ù.P¤§E¨×iuA±b°òO¤WAp¤~¤|qeAóqq¤W±-.°gqeiH¨q°§@§ówC-na¤èYq-A¨qy¤jùb°¤§A~ALqe]TrimmerCondenser^iH¨P×F¨IAOWq¤jI¤-¨I¨¤¤@-PAHq±`Ob-¨IChMOSFETem¤j]°^°W¤jqHOHùqé]BipolarTransistor^°DyAO{b¤jH¨úN¤§C±°KO¨NíqA±á±°]F^YA\vWqiF±ì]I°C^AOAó±°W¤j¨Cóh°§@IOs°]ZeroBias^AHqcíAq¤ó@¤-A°tXí±°¤§qP¤qeNàAóUWv°W¤jqCqy°Abqq°°±¤§dò¤AqyOù¤@wChMOSFETem¤j]±^°°°CAW±aà¤jAà¤j-n¨DO-n¨}nWq-n°AHAo¨-n¨D`O|U±§A]-nbq¤W¤U¤@f¤u¤AO¨ó¤ó¤m¤§à§hA¨ùGáNiHs§@§¨C¤èkp¤UG-A¨±¤§¤è°tuA`]TrackingGenerator^¤§HgL§]ImpedanceBridgeA¤jùì^HNé¤Jem¤jé¤JA-Yé¤Jq-¤¤j|¨MA]-nS§O`……
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    上传者: 二不过三
    高頻濾波器(RFFilter)電路之製作與量測……
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    高頻探針台NCKUMicro-NanoTechnologyCenter/SouthernRegionMEMSCenterPage1高……
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    高頻振蕩器的結構高……
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    高頻理論基礎---(台湾杨亚基博士),高頻理論基礎2……
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    时间: 2020-1-9 16:42
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    上传者: rdg1993
    高頻元件量測技術高频组件量测技术(一)量测方法目前针对高频组件的特性量测,主要可概分为测试夹具法(TestFixtureMeasurement)及晶圆级量测法(On-WaferMeasurement)两种,各有其需要及优缺点,兹介绍如下:1.测试夹具法:此法为较早期且颇为成熟的量测方法,该量测法可针对已封装或尚未封装的待测组件(DeviceUnderTest,DUT)进行量测。首先介绍以该法量测未包装高频组件的方法,一开始必须把未包装的芯片(Chip-Form)固定在载具(CarrierAssembly)之上,并利用打线(BondingWire)连接组件之金属接触点(MetalPad)和载具上的微导线(MicrostripLine),然后将载具置于Midsection上,再把此Midsection夹在已经作好校正的测试夹具上,如此即可进行测试夹具法的量测,其关系如图二所示。若为已包装的高频组件,例如以SOT23型式封装者,则可直接将该组件置于适当之Midsection上,再把此Midsection夹在已经作好校正的测试夹具上后量测。经过组件切割且包装后作量测,能忠实地反映出组件包装后的最终特性,如此便能提供使用该组件的电路设计者组件包装后最真实的组件特性信息;然而此法却也使得组件封装前的原始真实特性,因为封装所需的打线及夹具等的若干寄生效应而失真,如此一来,对于组件、制程设计及改良之工程师而言,将无法真实地掌握组件原始特性,妨害了组件制作上的改良及特性提升。量测未……