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EMI产生分析及无Y电容充电器设计(无专利的内层屏蔽绕组)TheEMIdesignofthechargerwithoutYCapacitorAdlsongAbstract:SomegeneralknowledgeofEMIisintroducedinthispaper.ThebasicprincipleofcausingdifferentialmodeandcommonmodecurrentrelatedconductedemissionsofEMIintheswitchmodepowersupplyisdiscussedindetailthroughtherelevantcircuittheoriesandthesketchdiagrams.Thedesignofthecancellationinsidethestructureofthetransformerisalsopresentedandexplainedbythesketchdiagram.ThemethodsforreducingradiatedemissionsofEMIaredescribedaswelltoo.Intheendthedesignforcommonmodeinductorisoffered.Atpresent,YcapacitoriswidelyadoptedinsideSMPSincludingthecellphonechargertopassEMItests.TheusageofYcapacitorleadstotheleakagecurrentfrominputlinestooutp……

EMI及无Y电容手机充电器设计EMI及无Y电容手机充电器的设计Adlsong摘要：本文首先介绍了关于EMI常规知识以及在开关电源中使用的各种缓冲吸引电路。然后介绍了在EMI中和传导相关的共模及差模电流产生的原理，静点动点的概念，并详细的说明了在变压器的结构中使用补偿设计的方法。最后介绍了EMI的发射产生的机理和频率抖动及共模电感的设计。目前，Y电容广泛的应用在开关电源中，但Y电容的存在使输入和输出线间产生漏电流。具有Y电容的金属壳手机充电器会让使用者有触电的危险，因此一些手机制造商目前开始采用无Y电容的充电器。然而摘除Y电容对EMI的设计带来了困难。具有频抖和频率调制的脉宽调制器可以改善EMI的性能，但不能绝对的保证充电器通过EMI的测试，必须在电路和变压器结构上进行改进，才能使充电器满足EMI的标准。1EMI常识在开关电源中，功率器件高频开通关断的操作导致电流和电压的快速的变化是产生EMI的主要原因。在电路中的电感及寄生电感中快速的电流变化产生磁场从而产生较高的电压尖峰：uL=LdiL/dt在电路中的电容及寄生电容中快速的电压变化产生电场从而产生较高的电流尖峰:iC=CduC/dt图1:Mosfet电压电流波形------------------------------------AdlsongAN--------------------------------------------磁场和电场的噪声与变化的电压和电流及耦合通道如寄生的电感和电容直接相关。直观的理解，减小电压率du/dt和电流变化率di/dt及减小相应的杂散电感和电容值可以减小由于上述磁场和电场产生的噪声，从而减小EMI干扰。1.1减小电压率du/dt和电流变化率di/dt减……