EMI及无Y电容手机充电器设计EMI 及无 Y 电容手机充电器的设计 Adlsong 摘要：本文首先介绍了关于 EMI 常规知识以及在开关电源中使用的 各种缓冲吸引电路。然后介绍了在 EMI 中和传导相关的共模及差模 电流产生的原理，静点动点的概念，并详细的说明了在变压器的结 构中使用补偿设计的方法。最后介绍了 EMI 的发射产生的机理和频 率抖动及共模电感的设计。 目前，Y 电容广泛的应用在开关电源中，但 Y 电容的存在使输入和 输出线间产生漏电流。具有 Y 电容的金属壳手机充电器会让使用者 有触电的危险，因此一些手机制造商目前开始采用无 Y 电容的充电 器。然而摘除 Y 电容对 EMI 的设计带来了困难。具有频抖和频率调 制的脉宽调制器可以改善 EMI 的性能，但不能绝对的保证充电器通 过 EMI 的测试，必须在电路和变压器结构上进行改进，才能使充电 器满足 EMI 的标准。 1 EMI 常识 在开关电源中，功率器件高频开通关断的操作导致电流和电压的快 速的变化是产生EMI的主要原因。 在电路中的电感及寄生电感中快速的电流变化产生磁场从而产生较 高的电压尖峰： u L = LdiL / dt 在电路中的电容及寄生电容中快速的电压变化产生电场从而产生较 高的电流尖峰: iC = Cdu C / dt 图 1: Mosfet 电压电流波形 ------------------------------------ Adlsong AN -------------------------------------------- 磁场和电场的噪声与变化的电压和电流及耦合通道如寄生的电感和 电容直接相关。直观的理解， 减小电压率du/dt和电流变化率di/dt及 减小相应的杂散电感和电容值可以减小由于上述磁场和电场产生的 噪声，从而减小EMI干扰。 1.1 减小电压率du/dt和电流变化率di/dt 减……