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    2021-4-16 15:01
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    如何使用电容来降低开关电源噪声
    开关电源输入用共模滤波器中包括电容器、电感、铁氧体磁珠和电阻等部件。接下来将对其中使用电容和电感降噪的对策进行介绍,这也可以称为“噪声对策的基础”。在这里使用简单的四元件模型。如果要进一步表达高频谐振时,可能需要更多的元件模型。 电容的频率特性 探讨利用电容器来降低噪声时,充分了解电容器的特性是非常重要的。右下图为电容器的阻抗和频率之间的关系示意图,是电容器最基础的特性之一。 电容器中不仅存在电容量C,还存在电阻分量ESR(等效串联电阻)、电感分量ESL(等效串联电感)、与电容并联存在的EPR(等效并联电阻)。EPR与电极间的绝缘电阻IR或电极间有漏电流的具有相同的意义。可能一般多使用“IR”。 C和ESL形成串联谐振电路,电容器的阻抗原则上呈上图所示的V字型频率特性。到谐振频率之前呈容性特性,阻抗下降。谐振频率的阻抗取决于ESR。过了谐振频率之后,阻抗特性变为感性,阻抗随着频率升高而升高。感性阻抗特性取决于ESL。 谐振频率可通过以下公式计算。 从该公式可以看出,容值越小、ESL越低的电容器,谐振频率越高。如果将其应用于噪声消除,则容值越小、ESL越低的电容器,频率越高,阻抗越低,因此可以很好地消除高频噪声。 虽然这里说明的顺序有些前后颠倒,不过使用电容器降低噪声的对策,是利用了电容器“交流通过时频率越高越容易通过”这个基本特性,将不需要的噪声(交流分量)经由信号、电源线旁路到GND等。 下图为不同容值的电容器的阻抗频率特性。在容性区域,容值越大,阻抗越低。另外,容值越小,谐振频率越高,在感性区域阻抗越低。 下面总结一下电容器阻抗的频率特性。 容值和ESL越小,谐振频率越高,高频区域的阻抗越低。 容值越大,容性区域的阻抗越低。 ESR越小,谐振频率的阻抗越低。 ESL越小,感性区域的阻抗越低。 简单来说,阻抗低的电容器具有出色的噪声消除能力,不同的电容器其阻抗的频率特性也不同,所以这一特性是非常重要的确认要点。选择降噪用电容器时,请根据阻抗的频率特性来选型(而非容值)。 选择降噪用电容器时,确认频率特性需要意识到连接的是LC的串联谐振电路(而非电容)。 关键要点: ・降噪用电容器的选型需要根据阻抗的频率特性进行(而非容值)。 ・容值和ESL越小,谐振频率越高,高频区域的阻抗越低。 ・容值越大,容性区域的阻抗越低。 ・ESR越小,谐振频率的阻抗越低。 ・ESL越小,感性区域的阻抗越低。 下面将介绍采用电容器来降低噪声时的概要和示意图。 使用电容器降低噪声 噪声分很多种,性质也是多种多样的。所以,噪声对策(即降低噪声的方法)也多种多样。在这里主要谈开关电源相关的噪声,因此,请理解为DC电压中电压电平较低、频率较高的噪声。另外,除电容外,还有齐纳二极管和噪声/浪涌/ESD抑制器等降噪部件。不同的噪声性质,所需要的降噪部件也各不相同。如果是DC/DC转换器,多数会根据其电路和电压电平,用LCR来降低噪声。 使用电容器降低噪声的示意图 下面是通过添加电容器来降低DC/DC转换器输出电压噪声的示例。 左侧的波形是输出端LC滤波器的电容为22µF时,在约200MHz的频率范围存在180mVp-p左右的噪声(振铃、反射)。右侧波形是为了降低这种噪声而添加了2200pF电容后的结果。从波形图可以看出,添加2200pF的电容使噪声降低了100mV左右。 这里应该思考的是“为什么是2200pF”。右下图为所添加电容器的阻抗频率特性。 之所以选择2200pF的电容,是因为阻抗在160MHz附近最低,利用这种阻抗特性,可降低噪声幅度约2MHz。这是通过添加电容器来降低目标噪声频率的阻抗,从而降低噪声幅度的手法。像这样通过添加电容器来降低噪声时,需要把握噪声(振铃、反射)的频率,并选择具有相应阻抗的频率特性的电容器。 本文简单介绍了利用电容器来降低噪声的对策。下一篇文章将介绍去耦电容的有效使用方法。 关键要点: ・通过降低目标噪声频率的阻抗来降低噪声幅度。 ・降噪用电容器的选型需要根据阻抗的频率特性进行(而非容值)。 去耦电容的有效使用方法 去耦电容有效使用方法的要点大致可以分为以下两种。另外,还有其他几点需要注意。本文就以下三点中的“要点1”进行介绍。 ・要点1:使用多个去耦电容 ・要点2:降低电容的ESL(等效串联电感) ・其他注意事项 要点1:使用多个去耦电容 去耦电容的有效使用方法之一是用多个(而非1个)电容进行去耦。使用多个电容时,使用相同容值的电容时和交织使用不同容值的电容时,效果是不同的。 ・使用多个容值相同的电容时 右图是使用1个22µF的电容时(蓝色)、增加1个变为2个时(红色)、再增加1个变为3个(紫色)时的频率特性。如图所示,当增加容值相同的电容后,阻抗在整个频率范围均向低的方向转变,也就是说阻抗越来越低。这一点可通过思考并联连接容值相同的电容时,到谐振点的容性特性、取决于ESR(等效串联电阻)的谐振点阻抗、谐振点以后的ESL(等效串联电感)影响的感性特性来理解。并联的电容容值是相加的,所以3个电容为66µF,容性区域的阻抗下降。 谐振点的阻抗是3个电容的ESR并联,因此为 ,假设这些电容的ESR全部相同,则ESR减少至1/3,阻抗也下降。 谐振点以后的感性区域的ESL也是并联,因此为 ,假设3个电容的ESL全部相同,则ESL减少至1/3,阻抗也下降。 由此可知,通过使用多个相同容值的电容,可在整个频率范围降低阻抗,因此可进一步降低噪声。 ・使用多个容值不同的电容时 这些曲线是在22µF的电容基础上并联增加0.1µF、以及0.01µF的电容后的频率特性。通过增加容值更小的电容,可降低高频段的阻抗。相对于一个22µF电容的频率特性来说,0.1µF和0.01µF的特性是合成后的特性(红色虚线)。这里必须注意的是,有些频率点产生反谐振,阻抗反而增高,EMI恶化。反谐振发生于容性特性和感性特性的交叉点。 所增加电容的电容量,一般需要根据目标降噪频率进行选型。 另外,在这里给出的频率特性波形图是理想的波形图,并未考虑PCB板的布局布线等引起的寄生分量。在实际的噪声对策中,需要考虑寄生分量的影响。下一篇文章将介绍第2个要点。 关键要点: ・去耦电容的有效使用方法有两个要点:①使用多个电容,②降低电容的ESL。 ・使用多个电容时,容值相同时和不同时的效果不同。 要点2:降低电容的ESL 去耦电容的有效使用方法的第二个要点是降低电容的ESL(即等效串联电感)。虽说是“降低ESL”,但由于无法改变单个产品的ESL本身,因此这里是指“即使容值相同,也要使用ESL小的电容”。通过降低ESL,可改善高频特性,并可更有效地降低高频噪声。 ・ 即使容值相同也要使用尺寸较小的电容 对于积层陶瓷电容(MLCC),有时会准备容值相同但尺寸不同的几个封装。ESL取决于引脚部位的结构。尺寸较小的电容基本上引脚部位也较小,通常ESL较小。 右图是容值相同、大小不同的电容的频率特性示例。如图所示,更小的1005尺寸的谐振频率更高,在之后感性区域的频率范围阻抗较低。这正如在“电容的频率特性”中所介绍的,电容的谐振频率是基于以下公式的,从公式中可见,只要容值相同,ESL越低谐振频率越高。另外,感性区域的阻抗特性取决于ESL,这一点也曾介绍过。 关于噪声对策,当需要降低更高频段的噪声时,可以选择尺寸小的电容。 ・ 使用旨在降低ESL的电容 积层陶瓷电容中,有些型号采用的是旨在降低ESL的形状和结构。 如图所示,普通电容的电极在短边侧,而LW逆转型的电极则相反,在长边侧。由于L(长度)和W(宽度)相反,故称“LW逆转型”。是通过增加电极的宽度来降低ESL的类型。 三端电容是为了改善普通电容(两个引脚)的频率特性而优化了结构的电容。三端电容是将双引脚电容的一个引脚(电极)的另一端向外伸出作为直通引脚,将另一个引脚作为GND引脚。在上图中,输入输出电极相当于两端伸出的直通引脚,左右的电极当然是导通的。这种输入输出电极(直通引脚)和GND电极间存在电介质,起到电容的作用。 将输入输出电极串联插入电源或信号线(将输入输出电极的一端连接输入端,另一端连接输出端),GND电极接地。这样,由于输入输出电极的ESL不包括在接地端,因此接地的阻抗变得非常低。另外,输入输出电极的ESL通过在噪声路径直接插入,有利于降低噪声(增加插入损耗)。 通过在长边侧成对配置GND电极,可抑制ESL;再采用并联的方式,可使ESL减半。 基于这样的结构,三端电容不仅具有非常低的ESL,而且可保持低ESR,与相同容值相同尺寸的双引脚型电容相比,可显著改善高频特性。 下一章计划对相关的几点注意事项进行介绍。 关键要点: ・去耦电容的有效使用方法有两个要点:①使用多个电容,②降低电容的ESL。 ・通过降低电容的ESL,可改善高频特性,并可更有效地降低高频噪声。 ・有的电容虽然容值相同,但因尺寸和结构不同而ESL更小。 去耦电容的有效使用方法:其他注意事项 ①Q较高的陶瓷电容 电容具有被称为“Q”的特性。下图即表示Q和频率-阻抗特性之间的关系。 当Q值高时,阻抗在特定的窄带会变得非常低。当Q值低时,阻抗虽然不会极度下降,但可以在很宽的频段内降低。这种特性可能有助于符合某些EMC标准。例如,使用电容量变化较大的电容时,如果Q值很高,则可能存在无法消除目标频率噪声的个体。在这种情况下,还有一种通过使用具有低Q的电容来抑制波动影响的手法。 ②热风焊盘等的PCB图形 旨在提高散热性的热风焊盘等的PCB图形,图形的电感分量会增加。电感分量的增加会使谐振频率向低频端移动,所以有时可能无法获得理想的噪声消除效果。 ③探讨对策时的电容试装 试制后需要对高频噪声采取对策,可以考虑增加小容量的电容器。此时,如下图所示,如果在大容量电容器上安装要增加的电容器(左例),则纵向会增加额外的电感分量,因此不能充分发挥增加电容器的效果。在中间的例子中,虽然未违背“尽可能使小容量电容靠近噪声源”的理论,但阻抗会与实际修改的PCB布局不同。最好的方法是以尽量接近实际修改的配置进行探讨(右例)。 在探讨对策时,也可能会发生虽然噪声试验OK,但安装到修改后的PCB时NG的现象,因此需要在探讨时就有意识地按照实际来安装。 ④电容的电容量变化率 噪声对策用的电容的电容量变化率较大时,谐振频率的波动会变大,目标消减频段会产生变化或波动,有时很难找到理想的噪声对策。尤其是需要在窄频段大幅消除噪声时,需要格外注意。下表表示电容量变化率和实际的电容量和谐振频率之间的关系。仔细看这个表的话可以看出,虽然视条件而定,不过很多情况是无法接受的。 电容量变化率(%) 电容量(pF) 谐振频率(MHz) +20 1,200 145 +10 1,100 152 +5 1,050 155 ±0 1,000 159 -5 950 163 -10 900 168 -20 800 178 ※ 按L=1nH计算 ⑤电容器的温度特性 众所众知,电容的特性会受温度影响。目前,EMC测试的温度特性尚未标准化,但在某些应用中,不得不在明显的高温或低温条件/环境下工作、或在会产生较大温度变化的条件/环境下使用。 在这类情况下,非常有可能发生“④电容量变化率”中提到的问题,所以,用于噪声对策的电容,需要尽量使用具有CH、C0G特性的温度特性优异的产品。 关键要点: ・理解Q与频率-阻抗特性之间的关系,并根据目的区分Q的差异。 ・高Q电容窄带阻抗急剧下降。低Q电容在较宽频段相对平缓下降。 ・PCB图形的热风焊盘等会增加电感分量,使谐振频率向低频端移动。 ・探讨对策时的试装,如果不按照现实的修改实际安装,很可能在修改后的PCB板上无法获得探讨时的效果。 ・电容量变化率大时,谐振频率会变化,无法获得目标频率理想的噪声消除效果。 ・在温度条件和变动较大的严苛应用中,可以探讨使用具有CH、C0G特性的温度特性优异的电容。 总结 要点1:使用多个去耦电容 使用多个电容去耦时,使用多个相同容值的电容和交织使用不同容值的电容时,效果是不同的。 ■使用多个相同容值的电容时 在整个频率范围内阻抗下降,可有效降低整体噪声。 ■使用多个不同容值的电容时 可降低更高频段的阻抗,可有效降低高频噪声。但是需要注意的是,有些频率会产生反谐振,阻抗反而增高,噪声反而恶化。 要点2:降低电容的ESL 如果容量相同,则ESL越低谐振频率越高,因此通过降低ESL可改善高频特性,从而可更有效地降低高频噪声。 ■即使容值相同也要使用尺寸较小的电容 ESL取决于电容引脚部位的结构,因此尺寸较小的电容基本上引脚部位也较小,通常ESL较小。当需要降低更高频段的噪声时,方法之一是选择尺寸小的电容。但是,要注意DC偏置特性。 ■使用旨在降低ESL的电容 积层陶瓷电容中,有些型号采用的是旨在降低ESL的形状和结构,比如LW逆转型电容、三端电容。 去耦电容的有效使用方法:其他注意事项 ■Q较高的陶瓷电容 当Q值高时,阻抗在特定的窄带会变得非常低。当Q值低时,阻抗虽然不会极度下降,但可以在较宽的频段内降低。 ■热风焊盘等的PCB图形 旨在提高散热性的热风焊盘等的PCB图形,图形的电感分量会增加,会使谐振频率向低频端移动,所以有时可能无法获得理想的噪声消除效果。 ■探讨对策时的电容试装 增加小容量电容以降低高频噪声时,要基于“尽可能使小容量电容靠近噪声源”的理论,以尽量接近实际修改的配置进行探讨。探讨时如果和修改后的配置不同,阻抗也会不同,很可能无法获得评估时的效果。 ■电容的电容量变化率 噪声对策用的电容的电容量变化率较大时,谐振频率的波动会变大,目标消减频段会产生变化或波动,有时很难找到理想的噪声对策。尤其是需要在窄频段大幅消除噪声时,需要格外注意。 ■电容的温度特性 电容的特性会受温度影响,因此,在明显的高温、低温、较大温度变化的条件/环境下使用的应用,需要采用温度特性优异的电容。 来源:techclass.rohm
  • 热度 4
    2020-10-10 09:30
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    原来,电阻电容也就这么回事啊~
    说到电阻电阻,它被誉为第四次工业革命的大米,原因是它无处不在且价格低廉的特点。但恰恰是这种看似价格不高、不足轻重的物料,一旦出现失误造成的后果则更为严重。因为一个电路板上用量最多的元件大多都是电阻电容,如果出现质量问题或者型号配对的失误,就意味着面临更大量的拆卸人工成本,时间成本,延误成本,客诉成本等。 因此,越是这类简单的物料,反而越应该引起我们的重视,我们应认真地去学习关于电阻电容的知识。 (一)什么是电阻? 导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。电阻(Resistance,通常用“R”表示)是一个物理量,在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大,表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体,电阻一般不同,电阻是导体本身的一种性质。 导体的电阻通常用字母R表示,电阻的单位是欧姆,简称欧,符号为Ω。 命名规则 说到电阻的命名规则也就是型号,大部分采购君有点云里雾里的,电阻的型号应该是这样的?RS-05K102JTL还是5% 0805 1k这样的。其实这两种表达方式都是正确的。 那么,芯仔就以RS-05K102JTL为例,给采购君们分析下~ 1)R:表示厚膜片式固定电阻器; 2)S:是该贴片电阻额定功率所属系列为特殊功率系列; 3)05:表示封装尺寸(英寸); 4)K:表示温度系数为100PPM。其他型号包括——W:正负200PPM;U正负400PPM;K正负10OPPM;L正负250PPM; 5)102:表示电阻阻值为1000Ω=1kΩ,(5%精度贴片电阻)E24系列贴片电阻阻值采用三位数表示法——前两位为有效数字,后一位是有效数字后面零的个数,基本单位是Ω。例如:103=10000Ω=10kΩ 6)J:表示该贴片电阻的阻值误差精度在正负5%内; 7)T:表示该贴片电阻的包装形式为编带包装。除了编带包装外,贴片电阻还有塑料盒包装(用B表示)和C(塑料袋散装)两种包装方法; 8)L:表示无铅化等级为L级,表示整体低铅(小于等于1000ppm),如果是G则表示为整体无铅(小于等于100ppm); RS-05K102JTL,是一个全面的涵盖电阻器的重要参数的一个表达方式。但是在我们的实际采购工作中,除特殊性要求非常规的电阻器外,普通的常规的电阻型号表达方式只要具备—— 阻值、误差、精密度、封装尺寸、电阻阻值即可,如:5% 0805 1k。 (二)什么是电容? 在电路学里,给定电压,电容器储存电荷的能力,称为电容(capacitance),标记为C。采用国际单位制,电容的单位是法拉(farad),标记为F。电路图中多半以C开头表示电容,例:C01、C02、C03、C100等。 命名规则 电容的型号命名特点,跟电阻器也有着相似的迷惑之处。其型号应该是0805CG102J500NT的,还是 0805 102 50V,到底哪种的表达方式是正确的?跟着芯仔一起,我们先看看0805CG102J500NT的型号命名规则是怎样的吧! 1)0805:是指该贴片电容的尺寸大小,这是用英寸来表示的,08表示长度是0.08英寸;05表示宽度为0.05英寸; 2)CG:是表示生产电容要求用的材质; 3)102:是指电容容量,前面两位是有效数字、后面的2表示有多少个零102=10×102,也就是=1000PF; 4)J:是要求电容的容量值达到的误差精度为5%,介质材料和误差精度是配对的; 5)500:是要求电容承受的耐压为50V。同样500前面两位是有效数字,后面是指有多少个零; 6)N:是指端头材料。现在一般的端头都是指三层电极(银/铜层)、镍、锡; 7)T:是指包装方式。T表示编带包装,B表示塑料盒散包装; 常规的电容采购中,为提高效率及型号配对率可以采购“0805 102 50V”命名方式,但是面对非常规特殊性要求的电容性采购,在工作中如果也采用这种表达方式,则会导致忽略重要性的参数需求,致使上机元件因温度或电压等达不到要求从而产生击穿的结果。因此,熟知电容,在采购时才能事半功倍。 (三)采购下单最容易犯的错误? 依据芯仔多年的分销经验,芯仔总结了一些采购们在处理电阻电容的物料下单时,最容易经常犯的错误,一起来看看,规避下风险吧! 01. 电阻精密度的混乱,1%、5%傻傻分不清楚。 虽然严格意义上来说,电阻的精度是经过后期的调试出来的,更应该着重的是电阻的温度稳定性。但是,在市场的角度中来看,1%的价格往往比5%的价格要高出一倍。因此,采购对此应当询问清楚,不应大意。 02. 电阻,花了一整包的钱买了样品。 到底该不该买样板呢?大部分的常规电阻5000个的总金额才25-50元不等,但大部分的采购在采购样板时,才几百个样板就花费了十几到二十元。这种情况下,不妨试着采购整盘的电阻更为划算。然而,这个却是最容易被采购忽视的一个地方。 03. 电容:材质分不清 1)C0G:表现最优秀的材质,在-55°C至+125°C的工作温度范围内时温度系数为0±30ppm/°C; 2)X7R材质:表现平平,在-55°C至+125°C的工作温度范围内时容量变化为±15%; 3)Y5V:不想表现,工作温度仅为-30°C至+85°C; 4)K:表示温度系数为100PPM。其他型号包括——W:正负200PPM;U正负400PPM;K正负10OPPM;L正负250PPM; 5)不同材质的电容在不同温度中的表现不同,当然价格也是不一样滴,采购们要擦亮眼睛仔细看。 04. 车规级电容犯了平民的错 车规级贴片电容耐受温度范围广,最高可达150℃,测试温度可达85摄氏度。普通贴片电容设计标准仅为125摄氏度,测试温度为40摄氏度。汽车长达10多年设计寿命和极端使用条件,普通电容无法适用。 85摄氏度跟40摄氏度差距如此之大,而价格也天差地别,因此,采购切勿错把普通电容当车规使,以免造成不可挽回的后果! (四)芯仔小结 采购们看过了电容电阻的详细讲解后,是不是发现其实也不难。采购君只要细心,对产品有足够的了解,就能够避免很多错误,工作效率也会得到很大的提高。 当然,选择一个靠谱的供应商更能实际的解决问题,深圳市中远亚电子有限公司,用芯深耕行业十年,致力做最懂你的供应商,服务好每一个客户是我们的使命。高要求的客户,成就了高质量标准的中远亚。为继续了解中远亚,请关注芯广场微信公众号,扫码可联系我们。 * *有采购芯片需求(样板可售),详情联系芯广场公众号。
  • 2020-7-10 13:36
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    ​火炬电子|TORCH ELECTRON ----------------------------------------------------------------------------- 企业简介 火炬电子始创于1989年,现有6家全资子公司及3家控股子公司,主要从事电容器研发、制造、销售和服务工作。作为我国首批通过宇航级产品认证的企业。公司当前已有1000多家用户,产品广泛应用于航空、航天、船舶以及通讯、电力、轨道、新能源等领域。2015年1月,公司在上海证券交易所正式挂牌交易,股票代码:603678。 公司是国家高新技术企业、福建省“十一五”规划电子元器件发展支柱企业,拥有通过CNAS国家实验室认可的火炬电子实验室、省级企业技术中心、省级工程研究中心,设立国家博士后科研工作站,先后通过了ISO9001质量管理体系、ISO14001环境管理体系、GB/T28001-2011职业健康安全管理体系和SA8000社会责任管理体系认证。截止2019年6月30日已获得发明专利38项,外观专利7项,实用新型91项。 公司通过清晰的产品定位和市场定位,构建稳定、独特、高效的营销模式,形成差异化竞争优势。2016年始,公司布局“元器件、新材料和贸易”三大板块平台战略,借助资本市场,积极向具有渠道和技术协同效应的其他类型元器件产品延伸,全力推进产品核心技术的研发,为我国电子元器件和新材料产业的发展做出贡献。 火炬电子一直专注陶瓷电容器领域的研发,生产,销售及服务工作。 素有电容专家之美誉 火炬牌产品以技术领先质量可靠而广泛的应用于通讯设备、工业控制设备、精密仪表仪器、医疗设备、石油勘探设备等民用高端领域。 发展历程 1989年 泉州火炬电子元件厂成立 1997年 火炬电子子公司福建毫米电子有限公司(原泉州火炬电子有限公司)于福建泉州成立 2003年 火炬电子全资子公司苏州雷度电子有限公司于苏州成立 2004年 火炬电子高可靠多层陶瓷电容器被列入国家级火炬计划项目 2007年 火炬电子全资子公司厦门雷度电子有限公司于厦门成立;同年,公司整体改制为股份制公司 2008年 火炬电子福建泉州江南高新技术电子信息园厂区正式启动 2010年 火炬电子被国家发改委评为国家高新技术产业化示范工程;同年,火炬电子全资子公司火炬集团控股有限公司于香港成立 2011年 火炬电子被评选为全国598家国家火炬计划重点高新技术企业之一 2013年 火炬电子与厦门大学资产经营有限公司共同出资于漳州设立子公司——福建立亚特陶有限公司 2015年 福建火炬电子科技股份有限公司在上海证券交易所上市,同年公司全资子公司福建立亚新材有限公司成立于福建泉州 2017年 火炬电子第三厂区暨多层瓷介电容器产业基地及研发中心项目竣工 2018年 火炬电子成立30周年。同年,于深圳成立全资子公司深圳雷度电子有限公司,并收购广州天极电子科技有限公司60%股权。 旗下公司 火炬国际有限公司 厦门雷度电子有限公司 苏州雷度电子有限公司 福建毫米电子有限公司 深圳雷度电子有限公司 福建立亚化学有限公司 广州天极电子科技有限公司 投资公司 深圳立亚新材有限公司 福建立亚特陶有限公司 主营产品 片式多层瓷介电容器 涂装引线式多层瓷介电容器 模压表贴瓷介电容器 片式高分子固体电解质钽电容器 高性能炭基双电层电容器 更多内容请点击: 芯梦享
  • 热度 8
    2020-6-2 20:11
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    2020-4-17 09:25
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    一、瓷介电容器(CC) 1.结构 用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属(银)薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分 1 类电介质(NPO、CCG);2 类电介质(X7R、2X1)和 3 类电介质(Y5V、2F4)瓷介电容器。 2.特点 1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。2、3类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高,容量大(最大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘性能较1类的差。 3.用途 1类电容主要应用于高频电路中。2、3类广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。 二、涤纶电容器(CL) 1.结构 涤纶电容器,是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数(即温度升高时,电容量变大)的无极性电容。 2.优点 耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。 3.用途 一般应用于中、低频电路中。常用的型号有CL11、CL21等系列。 三、聚苯乙烯电容器(CB) 1.结构 有箔式和金属化式两种类型。 2.优点 箔式绝缘电阻大,介质损耗小,容量稳定,精度高,但体积大,耐热性较差;金属化式防潮性和稳定性较箔式好,且击穿后能自愈,但绝缘电阻偏低,高频特性差。 3.用途 一般应用于中、高频电路中。常用的型号有CB10、CB11(非密封箔式)、CB14~16(精密型)、CB24、CB25(非密封型金属化)、CB80(高压型)、 CB40 (密封型金属化)等系列。 四、聚丙烯电容器(CBB) 1.结构 用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。有非密封式(常用有色树脂漆封装)和密封式(用金属或塑料外壳封装)两种类型。 2.优点 损耗小,性能稳定,绝缘性好,容量大。 3.用途 一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容:CBB10、CBB11、CBB60、 CBB61 等;金属化式聚丙烯电容:CBB20、CBB21、CBB401 等系列。 五、独石电容器 1.结构 独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容器。 2.优点 它具有性能可靠、耐高温、耐潮湿、容量大(容量范围1 pF ~ 1 μF)、漏电流小等优点。 3.缺点 工作电压低(耐压低于100 V)。 4.用途 广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。常用的有CT4 (低频) 、CT42(低频);CC4(高频)、CC42(高频)等系列。 六、云母电容器(CY) 1.结构 云母电容器是采用云母作为介质,在云母表面喷一层金属膜(银)作为电极,按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳(或陶瓷、塑料外壳)内构成。 2.优点 稳定性好、分布电感小、精度高、损耗小、绝缘电阻大、温度特性及频率特性好、工作电压高(50 V~7 kV)等优点 。 3.用途 一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐等使用。常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。 七、纸介电容器(CZ) 1.结构 纸介电容器是用较薄的电容器专用纸作为介质,用铝箔或铅箔作为电极,经卷绕成型、浸渍后封装而成。 2.优点 电容量大(100 pF~100 μF)工作电压范围宽,最高耐压值可达6.3 kV。 3.用途 体积大、容量精度低、损耗大、稳定性较差。常见有CZ11、CZ30、CZ31、CZ32、CZ40、CZ80等系列。 八、金属化纸介电容器(CJ) 1.结构 金属化纸介电容器采用真空蒸发技术,在涂有漆膜的纸上再蒸镀一层金属膜作为电极而成。 2.优点 与普通纸介电容相比,体积小,容量大,击穿后能自愈能力强。 九、铝电解电容器(CD)结构 有极性铝电解电容器是将附有氧化膜的铝箔(正极)和浸有电解液的衬垫纸,与阴极(负极)箔叠片一起卷绕而成。外型封装有管式、立式。并在铝壳外有蓝色或黑色塑料套。 1.优点 容量范围大,一般为1~10 000 μF,额定工作电压范围为6.3 V~450 V。 2.缺点 介质损耗、容量误差大(最大允许偏差+100%、–20%)耐高温性较差,存放时间长容易失效。 3.用途 通常在直流电源电路或中、低频电路中起滤波、退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。注意:不能用 于交流电源电路。在直流电源中作滤波电容使用时极性不能接反。 十、钽电解电容器(CA) 1.结构 有两种形式:1. 箔式钽电解电容器 内部采用卷绕芯子,负极为液体电解质,介质为氧化钽。型号有 CA30、CA31、CA35、CAk35等系列。2. 钽粉烧结式 阳极(正极)用颗粒很细的钽粉压块后烧结而成。封装形式有多种。型号有CA40 、CA41、CA42、CA42H、CA49、CA70(无极性)等系列。 2.优点 介质损耗小、频率特性好、耐高温、漏电流小。 3.缺点 生产成本高、耐压低。 4.用途 广泛应用于通信、航天、军工及家用电器上各种中 、低频电路和时间常数设置电路中。 十一、云母微调电容器(CY) 1.结构 云母微调电容器由定片和动片构成,定片为固定金属片,其表面贴有一层云母薄片作为介质,动片为具有弹性的铜片或铝片,通过调节动片上的螺钉调节动片与定片之间的距离,来改变电容量。 云母微调电容器有单微调和双微调之分。 2.优点 电容量均可以反复调节。 3.用途 应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。 十二、瓷介微调电容器(CC) 1.结构 瓷介微调电容器是用陶瓷作为介质。在动片(瓷片)与定片(瓷片)上均镀有半圆形的银层,通过旋转动片改变两银片之间的相对位置,即可改变电容量的大小。 2.优点 体积小,可反复调节,使用方便。 3.用途 应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。 十三、薄膜微调电容器结构 薄膜微调电容器是用有机塑料薄膜作为介质,即在动片与定片(动、定片均为半圆形金属片)之间加上有机塑料薄膜,调节动片上的螺钉,使动片旋转,即可改变容量。薄膜微调电容器一般分为双微调和四微调。有的密封双连或密封四连可变电容器上自带薄膜微调电容器,将微调电容器安装在外壳顶部,使用和调整就更方便了。 1.优点 体积小,重量轻,可反复调节,使用方便。 2.用途 应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。 十四、空气可变电容器(CB) 1.结构 电极由两组金属片组成。一组为定片,一组为动片,动片与定片之间以空气作为介质。当转动动片使之全部旋进定片时,其电容量最大,反之,将动片全部旋出定片时,电容量最小。空气可变电容器有单连和双连之分(见外型图)。 2.优点 调节方便、性能稳定、不易磨损。 3.缺点 体积大。 4.用途 应用于收音机、电子仪器、高频信号发生器、通信电子设备。 十五、薄膜可变电容器 1.结构 薄膜可变电容器是在其动片与定片之间加上塑料薄膜作为介质,外壳为透明或半透明塑料封装,因此也称密封单连或密封双连和密封四连可变电容器。 2.优点 体积小、重量轻。 3.缺点 杂声大、易磨损。 4.用途 单连主要用在简易收音机或电子仪器中;双连用在晶体管收音机和电子仪器、电子设备中;四连常用在AF/FM多波段收音机。 十六、聚丙乙烯电容(CBB) 1.结构 CBB电容以金属化聚丙烯膜串联结构型式,能抗高电压、大电流冲击,具有损耗小,电性能优良,可靠性高和自愈性能。 2.优点 介电常数较高,体积小,容量大,稳定性比较好,能抗高电压、大电流冲击,具有损耗小,电性能优良,可靠性高和自愈性能。 3.缺点 温度系数大。 4、用途 代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路 十七、安规电容 1.结构 安规电容的组成一般是由介质、电极、外壳、封装、引脚五个部分组成的。其介质一般是由聚丙烯膜组成;电极是由金属真空蒸发层组成;外壳一般是以阻燃PBT塑壳(UL94V-0)为主;封装一般是由阻燃环氧树脂(UL94V-0)组成;而引脚是以镀锡铜包钢线而组成。 2.优点 失效后,不会导致电击,不危及人身安全。 3.用途 x电容是跨接在电力线两线(L-N)之间的电容,用于抑制差模干扰,一般选用金属薄膜电容。Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间(L-E,N-E)的电容,一般是成对出现,抑制共模干扰,用于电源市电输入端即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全。 十八、真空电容 1、结构 以真空作为介质的电容器,采用高导无氧铜带通过一整套高精度模具一道道引伸而形成的一组同心圆柱形电极被密封在一个真空容器中。 2、优点 真空电容器与其他介质的电容器相比,具有耐压高、体积小、损耗低、性能稳定可靠等特点,不容易产生飞弧、电晕等现象。 3、用途 1)广播通讯设备:真空电容器在中波、短波、超短波发射机上,作为调谐、耦合、滤波、中和、隔直流等元件。 2)半导体制造设备:用于等离子体的沉积和刻蚀设备。 3)高频工业设备:用于高频介质加热和焊接等。 4)医疗器械:医疗分析仪及治疗仪等。 5)高能物理:高能粒子加速器等。 6)电力设备:用于介质损耗测试设备。 十九、多圈微调电容 1、结构 一种使用在UHF、VHF领域的密封型多圈瓷介微调电容器,在调节电容量时,轴子在轴向移动时不外露出体外,且能阻隔外界空气和污染源进入内部,能适合各种不同使用空间要求,它是由结头(6)和附有密封带(12)的转子(7)螺纹电连接外瓷环(8)一端和结头(6)固接,另一端和底座(10)固接,引出线(11)一端和内瓷环(9)同心固接后与底座(10)紧配固接。用起子转动转子在瓷环间和结头内轴向移动,密封带在结头内螺纹滑动从而隔断外节污染源进入内部。 二十、穿心电容 1、结构 穿心电容是一种三端电容,但与普通的三端电容相比,由于它直接安装在金属面板上,因此它的接地电感更小,几乎没有引线电感的影响,另外,它的输入输出端被金属板隔离,消除了高频耦合,这两个特点决定了穿心电容具有接近理想电容的滤波效果。 2、优点 自电感较普通电容小得多,故而自谐振频率很高 3、用途 用于射频抗干扰滤波器。把流经机壳或设备某点的低频电流或射频电流(它可能引起干扰)通过尽可能短的通路接地。典型的应用有:旋转式装置;点火装置;机电调压器、震动器、开关;电子装置(发射机、雷达调制器、闸流管等)及设备交流滤波。 关于造物工场 造物工场立足金百泽超过20年柔性电子制造服务优势,聚焦产品方案和电子工程的设计服务,提供从创意到制造、PCB/PCBA/BOM/元器件等一站式硬件服务。
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