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VGATFTLCD的驱动电路设计……

MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。  下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1，MOS管种类和结构  MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。  至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。    对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。  MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。  在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。2，MOS管导通特性  导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。  NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。  PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替……

傻瓜东东学RF研发之18--浅谈大功率电流驱动电路的应用设计（毕）傻瓜东东浅谈大功率电流驱动电路模块的开发及应用设计Rd-xu5442010/5内容简介：傻瓜东东在《傻瓜东东学RF之13---耿氏二极管电源以及YIG驱动电路的设计报告》中介绍了一款大功率I/V的驱动电路，虽说这是一款成熟的I/V驱动电路，但是它是一个由分立元件构成，电路结构相对复杂点；另外，原推举的电路功能简单，对于一些新同学而言应用起来难免有点困难（特别是排故）。今已将此电路改良设计成电路模块型式，使设计师不论老师还是学生，都能在加上简单的外围电路后，就能应用这个电路。本文对这款大功率电流驱动电路模块的应用作了详尽的介绍和说明，其中重点讲授了电路模块的散热原理分析和设计，提出了适用的散热方案。可供初学的同学参考、学习。本文电路模块部分内容来源于西安华经微电子公司的相关资料，应用部分内容来源于本人的设计报告。1.大功率电流驱动电路模块简介1.大功率电流驱动电路小型化集成大功率电流驱动电路模块的设计初衷，是想利国内对于电路微集成组合封装的技术，针对原《傻瓜东东学RF之13---耿氏二极管电源以及YIG驱动电路的设计报告》中所提到的电路，经过西安华经微电子公司的厚膜电路组合封装技术，使原来需要很多分立元器件才能组成的电路，集成在一个以模块型式、相对较小的组合封装电路中。《傻瓜东东学RF之13---耿氏二极管电源以及YIG驱动电路的设计报告》中所介绍的电路，原来是由分立元件所组成，这个电路能可靠、稳定地工作，但电路由于是由各个分立元件所组成……