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CCFL推挽式缓冲电路CCFL推挽式缓冲电路DS3984,DS3988,DS3881,DS3882,DS3992和DS3994为冷阴极荧光灯(CCFL)控制器，它们使用推挽结构来产生驱动荧光灯所需的高压交流波形。在推挽式驱动器中，升压变压器的寄生电感与n沟道功率MOSFET的寄生输出电容组成了一个谐振回路，能产生不期望的尖峰电压。高压尖峰会增加功率MOSFET承受的应力，同时也会增大系统产生的电磁干扰(EMI)。本应用笔记描述了如何用一个简单的电阻-电容(RC)网络来抑制该尖峰电压。无抑制时的漏极电压图1详细列出了使用15V直流电源工作时，推挽式驱动器的典型栅极驱动电压和漏极电压波形。在推挽式驱动结构中，当互补MOSFET开启时，正常情况下漏极电压会升至直流电源电压的两倍(或者本例中的30V)。然而，如图1所示，尖峰电压却高达54V。在MOSFET关闭以及互补MOSFET开启时，n通道功率MOSFET的漏极也会出现尖峰电压。图1.无缓冲电路时的漏极电压可抑制漏极尖峰电压的电路及设计可以通过为每个漏极添加简单的RC网络来抑制尖峰电压，如图2所示。合适的电阻(R)和电容(C)值可由如下过程确定。在阐述该过程之后，将有一个实例演示如何降低图1所示的尖峰电压。图2.推挽驱动器的漏极缓冲电路确定合适的缓冲电路RC值：1.2.测量尖峰谐振频率。见图3所示实例。在MOSFET的漏极和源极上并联一个电容(无电阻，仅电容)，调整电容值，直到尖峰谐振频率降低到原来的二分之一。此时，该电容值为产生尖峰电压的寄生电容值的三倍。3.因为寄生电容值已知，寄生电感值可用如下等式求得：L=1/[(2F)2xC]，其中，F＝谐振频率，C=寄生电容值4.……