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在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析第7卷第4期2002年12月文章编号:1007-0249(2002)04-0009-04电路与系统学报JOURNALOFCIRCUITSANDSYSTEMSVol.7No.4December,2002在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析郭为,黄达诠*(浙江大学信息与电子工程学系,浙江杭州310027)摘要:本文详细分析了用于射频集成电路设计的MOS场效应管(MOSFET)的稳定特性。利用米勒(Miller)效应和y参数两种方法对MOSFET的稳定特性做了定性和定量的理论分析,并给出了理论分析和实际仿真的对比结果,从中可看出理论分析和仿真结果完全相符。最后,本文以一个工作于2.4GHz,0.5μm工艺的低噪声放大器(LNA)设计为例,给出了在具体电路设计中,提高整个电路稳定性的方法。关键词:稳定性;米勒效应;y参数;MOSFET;低噪声放大器中图分类号:TN722.3文献标识码:A1概述在射频集成电路(RFIC)的设计中,稳定性是一个关键性指标。尤其对放大器(低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA))而言,稳定性是其工作的首要前提。若不能满足稳定性指标,则整个放大电路将振荡。但就笔者目前所知,尚未有文献对稳定性,尤其是MOS场效应管(MOSFET)的稳定性进行全面的理论分析。本文的目标是在对MOS场效应管的稳定性进行充分理论分析的前提下,对整个电路的稳定性能有一个既定性又定量的理解,从而在电路设计上做到有的放矢,采取有效的措施提高稳定性。2理论分析和仿真结果在下面的分析中将首先提出在本文中所采用的MOS场效应管的分析模型,然后采用米勒效应和y参数两种方法分析了MOS场效应管的稳定……