在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析第7卷 第4期 2002 年 12 月 文章编号：1007-0249 (2002) 04-0009-04 电路与系统学报 JOURNAL OF CIRCUITS AND SYSTEMS Vol.7 No.4 December, 2002 在 CMOS 射频集成电路设计中对稳定性的分析 郭为， 黄达诠 ＊ （浙江大学 信息与电子工程学系，浙江 杭州 310027） 摘要：本文详细分析了用于射频集成电路设计的 M O S 场效应管（MOSFET ）的稳定特性。利用米勒（Miller）效 应和 y 参数两种方法对 MOSFET 的稳定特性做了定性和定量的理论分析，并给出了理论分析和实际仿真的对比结果， 从中可看出理论分析和仿真结果完全相符。最后，本文以一个工作于 2.4GHz， 0.5 μ m 工艺的低噪声放大器（LNA ） 设计为例，给出了在具体电路设计中，提高整个电路稳定性的方法。 关键词：稳定性；米勒效应；y 参数；MOSFET ；低噪声放大器 中图分类号：TN722.3 文献标识码：A 1 概述 在射频集成电路 （ RFIC） 的设计中， 稳定性是一个关键性指标。 尤其对放大器 （低噪声放大器 （ LNA） 和功率放大器（PA） ）而言，稳定性是其工作的首要前提。若不能满足稳定性指标，则整个放大电路 将振荡。但就笔者目前所知，尚未有文献对稳定性，尤其是 MOS 场效应管（ MOSFET ）的稳定性进 行全面的理论分析。 本文的目标是在对 MOS 场效应管的稳定性进行充分理论分析的前提下，对整个电路的稳定性能 有一个既定性又定量的理解，从而在电路设计上做到有的放矢，采取有效的措施提高稳定性。 2 理论分析和仿真结果 在下面的分析中将首先提出在本文中所采用的 MOS 场效应管的分析模型，然后采用米勒效应和 y 参数两种方法分析了 MOS 场效应管的稳定……